研究者
J-GLOBAL ID:201801000642440029   更新日: 2024年08月09日

𠮷越 章隆

ヨシゴエ アキタカ | Yoshigoe Akitaka
所属機関・部署:
職名: 研究主幹
研究分野 (6件): 複合材料、界面 ,  電気電子材料工学 ,  量子ビーム科学 ,  ナノ材料科学 ,  薄膜、表面界面物性 ,  薄膜、表面界面物性
研究キーワード (5件): 表面科学 ,  物理化学 ,  材料プロセス ,  放射光 ,  応用物理
競争的資金等の研究課題 (11件):
  • 2024 - 2027 シビアアクシデント回避に向けた二次元材料を活用した燃料被覆管の腐食抑制の研究
  • 2023 - 2026 単層ゲルマネンの水素化による安定なハンドリング用中間体の開発
  • 2020 - 2023 超音速分子線と放射光リアルタイム光電子分光によるシリコン表面酸化反応の理解と制御
  • 2016 - 2018 構造材料の耐環境設計技術向上に向けた放射光表面分析技術の適用検討
  • 2014 - 2017 次世代ナノデバイス開発に向けたGe表面酸化反応の制御と極薄絶縁膜の形成技術
全件表示
論文 (208件):
  • Koki Hayashida, Yasutaka Tsuda, Natsumi Murase, Takashi Yamada, Akitaka Yoshigoe, Wilson Agerico Diño, Michio Okada. Dissociative adsorption of supersonic CH3Cl on Cu oxide Surfaces: Cu2O(111) and bulk Cu2O precursor “29”-Structure on Cu(111). Applied Surface Science. 2024. 669
  • Takuhiro Kakiuchi, Ryota Anai, Taiju Saiki, Yasutaka Tsuda, Akitaka Yoshigoe. Coverage Dependence upon Early Oxidation Stages of Hafnium-Adsorbed Si(111)-7 × 7. The Journal of Physical Chemistry C. 2024
  • Takuma Kobayashi, Asato Suzuki, Takato Nakanuma, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Characterization of nitrided SiC(1 1 ̅ 00) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024. 175. 108251-108251
  • Takamasa Makino, Yasutaka Tsuda, Akitaka Yoshigoe, Wilson Agerico Diño, Michio Okada. CH3Cl Dissociation, CH3 abstraction, and Cl adsorption from the dissociative scattering of supersonic CH3Cl on Cu(111) and Cu(410). Applied Surface Science. 2024. 642. 158568-158568
  • Kentaro Onishi, Takuma Kobayashi, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Akitaka YOSHIGOE, Takayoshi Shimura, Heiji WATANABE. Formation of high-quality SiO2/GaN interfaces with suppressed Ga-oxide interlayer via sputter deposition of SiO2. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 5. 050903
もっと見る
MISC (596件):
  • 棟安陸, 室山瑞穂, 小早川なの, 津田泰孝, 坂本徹哉, 渡部誠也, 山田剛司, 赤井恵, 岡田美智雄, 吉越章隆, et al. 機能性アルカンチオール自己組織化単分子膜における官能基の反応とイオン化. 分子科学討論会講演プログラム&要旨(Web). 2022. 16th
  • 小川修一, 山田貴壽, 津田泰孝, 吉越章隆, 虻川匡司. ガスバリア特性評価のためのグラフェン用触媒金属膜の検討. 日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会講演予稿集. 2021. 2020 (CD-ROM)
  • 津田泰孝, 坂本徹哉, 吉越章隆. 放射光光電子分光を用いたGe(110)表面の酸素分子による室温酸化の研究. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • 角谷正友, 津田泰孝, 坂本徹哉, 隅田真人, SANG Liwen, 原田善之, 冨永亜希, 吉越章隆. 酸化ガス照射下でのXPSによるGaN表面化学状態の動的その場観察. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
  • 津田泰孝, 小川修一, 吉越章隆, 坂本徹哉, 高桑雄二. SiO2/Si(001)界面のバンドベンディングへの酸素と放射光のON-OFF効果. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
もっと見る
特許 (1件):
  • グラフェンの形成方法及びグラフェンの形成装置
書籍 (2件):
  • 放射光利用の手引き : 農水産・医療、エネルギー、環境、材料開発分野などへの応用
    アグネ技術センター 2019 ISBN:9784901496957
  • X線光電子分光法
    講談社 2018 ISBN:9784065140475
講演・口頭発表等 (64件):
  • AlGaN/GaNヘテロ構造の低バイアス電力ICPエッチングによる低損傷加工
    (2019)
  • Evaluation of Reactive Ion Etching-induced Damage on 2DEG at AlGaN/GaN Interface
    (2019)
  • 水吸着した二酸化チタン表面の軟X線光電子分光解析
    (日本表面真空学会学術講演会要旨集 2019)
  • Hf 4f, Si 2p, およびO1s 内殻分光によるSi(111)上に作製したハフニウム超薄膜の初期酸化過程解明
    (日本表面真空学会学術講演会要旨集 2019)
  • 導電型の異なるGaN上GaOx界面層の放射光XPS分析
    (2019)
もっと見る
学歴 (1件):
  • 1993 - 1996 総合研究大学院大学 数物科学研究科 構造分子科学専攻
学位 (1件):
  • 博士(理学) (総合研究大学院大学)
経歴 (1件):
  • 2020/04 - 現在 大阪大学 招聘教員
委員歴 (8件):
  • 2021/04 - 現在 日本表面真空学会 関西支部役員
  • 2018/04 - 現在 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 幹事
  • 2017/05 - 現在 応用物理学会 プログラム編成委員
  • 2011/12 - 現在 日本分光学会 関西支部 幹事
  • 2019/10 - 2021/09 日本放射光学会 編集委員
全件表示
受賞 (3件):
  • 2016/09 - 日本学術振興会 平成28年度「科研費」審査委員の表彰状「有意義な審査意見を付していただいた審査委員」
  • 2015 - 2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY- IWDTF Young Paper Award Rapid Temperature Oxidation at SiO2/Si(001) Interface Studied by Real-time X-ray photoelectron spectroscopy: Rapid Cooling Versus Rapid Heating
  • 2012/06 - 28th Symposium on Chemical Kinetics and Dynamics Best Poster Prize Enhancement of surface oxidation on Ge(111)-c(2×8) caused by supersonic O2 Beam
所属学会 (4件):
日本分光学会 ,  日本放射光学会 ,  日本表面真空学会 ,  応用物理学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る