研究者
J-GLOBAL ID:201801004913985137   更新日: 2023年11月11日

大田 晃生

オオタ アキオ | Ohta Akio
所属機関・部署:
研究分野 (1件): 薄膜、表面界面物性
競争的資金等の研究課題 (9件):
  • 2019 - 現在 絶縁性基板上のゲルマニウム二次元結晶の創製と電子物性の解明 (代表)
  • 2018 - 現在 ゲルマニウム系二次元ハニカム結晶の自己組織化形成と結晶構造・電子状態制御 (代表)
  • 2015 - 2019 Si-Ge系スーパーアトム構造のセルフアライン集積による光・電子物性制御 (分担)
  • 2015 - 2018 Si系酸化薄膜抵抗変化材料における欠陥分布の高感度計測および精密制御 (代表)
  • 2015 - 2017 シリコン系二次元ハニカム結晶の創製と電子物性の解明 (代表)
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論文 (142件):
  • Yuki Imai, Ryoya Tsuji, Katsunori Makihara, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Seiichi Miyazaki. Alignment control of self-assembling Si quantum dots. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2023. 162
  • Keigo Matsushita, Akio Ohta, Shigehisa Shibayama, Tomoharu Tokunaga, Noriyuki Taoka, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki. Layer transfer of ultrathin Ge crystal segregated on Al/Ge(111) structure. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2023. 62. SG
  • Shunsuke Nishimura, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki. Formation of ultra-thin NiGe film with single crystalline phase and smooth surface. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2023. 62. SC
  • Taiki Sakai, Akio Ohta, Keigo Matsushita, Noriyuki Taoka, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki. Evaluation of chemical structure and Si segregation of Al/Si(111). JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2023. 62. SC
  • Taisei Nagai, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki. Effects of Cl passivation on Al2O3/GaN interface properties. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2023. 62. SA
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学位 (3件):
  • 学士(工学) (広島大学)
  • 修士(工学) (広島大学)
  • 博士(工学) (広島大学)
経歴 (8件):
  • 2023/04 - 現在 福岡大学 理学部 物理科学科 准教授
  • 2020/04 - 2023/03 国立大学法人東海国立大学機構 名古屋大学 大学院工学研究科 電子工学専攻 助教
  • 2017/12 - 2020/03 名古屋大学 大学院工学研究科 電子工学専攻 助教
  • 2017/04 - 2017/11 名古屋大学 大学院工学研究科 電子工学専攻 特任助教
  • 2015/05 - 2017/03 名古屋大学 大学院工学研究科 量子工学専攻 特任助教
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