研究者
J-GLOBAL ID:201801006635647244   更新日: 2024年04月04日

柯 梦南

カ ムナン | Ke Mengnan
所属機関・部署:
職名: テニュアトラック助教
ホームページURL (1件): https://www.tp.chiba-u.jp/ms/laboratory/aoki-lab/
研究分野 (2件): 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (3件): 二次元材料デバイス ,  ゲルマニウムMOS界面 ,  AI・IoT時代の半導体デバイスと回路
競争的資金等の研究課題 (4件):
  • 2023 - 2027 ナノ秒パルス伝導解析が拓く2次元ヘテロ構造における非平衡キャリアダイナミクス
  • 2023 - 2025 縦型Ge/TMDCヘテロ界面トンネルFETの開発と物理機構の解明
  • 2020 - 2023 Ge MOS界面の遅い準位特性解明と密度低減手法確立更なる次世代デバイスへの応用
  • 2018 - 2020 高性能Ge-MOSFET実現のため高信頼High-k/Geゲートスタック形成技術
論文 (42件):
  • Xueyang Han, Chia-Tsong Chen, Mengnan Ke, Ziqiang Zhao, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi. Effects of post-deposition annealing temperature and atmosphere on interface properties in ALD Al2O3/plasma oxidation GeO x /(111) and (100) n-Ge MOS structures. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. {SC}
  • Tianshun Xie, Kazuki Fukuda, Mengnan Ke, Peter Krüger, Keiji Ueno, Gil-Ho Kim, Nobuyuki Aoki. Enhanced contact properties of MoTe2-FET via laser-induced heavy doping. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 62. SC. SC1010-SC1010
  • Hiroto Ishii, Wen-Hsin Chang, Hiroyuki Ishii, Mengnan Ke, Tatsuro Maeda. Surface bonding state of germanium via cyclic dry treatments using plasma of hydrogen iodine and pure oxygen gases. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2022. 61. SD
  • Yuwa Kishi, Akihiro Yamada, Mengnan Ke, Takayuki Kawahara. Examination of Magnetization Switching Behavior by Bi-Directional Read of Spin-Orbit-Torque MRAM. IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS. 2022. 58. 5
  • Yuwa Kishi, Akihiro Yamada, Mengnan Ke, and Takayuki Kawahara. Evaluation of Read Disturbance Reduction Effect by SOT-MRAM Bi-directional Read on Device Size Dependence. IEEE International Magnetics Conference 2021, DIGEST BOOK. 2021. 537
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MISC (19件):
  • 川島舜、柯夢南、河原尊之. TCADシミュレーションにおけるAl2O3/GeO2/Ge pMOSFETのゲート絶縁膜に存在する酸素空孔によるBTI特性の影響. 2020年度応用物理学会秋季学術講演会. 2020. 2020.2. 1747-1747
  • 山本薫、柯夢南、河原尊之. 16スピン全結合型フル機能イジングモデル回路の小型FPGA実装. 2020年電子情報通信学会ソサイエティ大会. 2020
  • 柯 夢南, 竹中 充, 高木 信一. n-Ge MOS構造における異なる界面層へのキャリアトラップ特性の比較. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2020. 2020.1. 2650-2650
  • 柯 夢南, 竹中 充, 高木 信一. n-Ge MOS絶縁膜中の異なるキャリア捕獲トラップの峻別手法の提案. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2020. 2020.1. 2649-2649
  • 柯 夢南, 竹中 充, 高木 信一. プラズマ酸化により作製したAl2O3/GeOx/n-Ge MOS界面における遅い準位の特性. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2020. 2020.1. 2648-2648
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講演・口頭発表等 (41件):
  • Evaluation of Read Disturbance Reduction Effect by SOT-MRAM Bi-Directional Read on Device Size Dependence
    (IEEE International Magnetics Conference (Intermag 2021) 2021)
  • Improvement of Generalization Performance for Timber Health Monitoring using Machine Learning
    (The 16th IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems (APCCAS 2020) 2020)
  • Damage-Position Identification of Wooden-House Models for Structural Health Monitoring Using Machine Learning
    (The 16th IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems (APCCAS 2020) 2020)
  • Evaluation of Read Disturbance Reduction Effect by Bi-directional Read on Ferromagnetic Material Properties of SOT-MRAM
    (IEEE/AIP 2020 Magnetism and Magnetic Materials Conference (MMM2020) 2020)
  • 16スピン全結合型フル機能イジングモデル回路の小型FPGA実装
    (2020年電子情報通信学会ソサイエティ大会 2020)
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学歴 (2件):
  • - 2018 東京大学 工学系研究科 電気系工学専攻
  • - 2015 東京大学 工学系研究科 電気系工学専攻
学位 (1件):
  • 博士 (東京大学)
経歴 (3件):
  • 2021/12 - 現在 千葉大学 工学研究院総合工学講座 テニュアトラック助教
  • 2018/10 - 2021/11 東京理科大学 助教
  • 2018/04 - 2018/09 日本学術振興会 DC2特別研究員
受賞 (13件):
  • 2023/10 - IEEE TOWERS Supporters Group Award
  • 2021/04/01 - 東芝デバイス&ストレージ(株)学術奨励制度
  • 2020/12/22 - 第44回丹羽保次郎記念論文賞
  • 2020/12 - IEEE APCCAS 2020 Best Paper Award
  • 2020/10/17 - 第33回安藤博記念学術奨励賞
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