研究者
J-GLOBAL ID:201801006747025475   更新日: 2024年09月28日

ファム ナムハイ

ファム ナムハイ | HAI PHAM NAM
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): http://magn.pe.titech.ac.jp
研究分野 (1件): 応用物性
競争的資金等の研究課題 (11件):
  • 2020 - 2022 トポロジカル絶縁体を用いる超低消費電力磁気抵抗メモリの創製
  • 2018 - 2021 量子伝導によるスピントランジスタの性能限界の打破
  • 2016 - 2019 チューナブルトポロジカル絶縁体を用いた純スピン注入源の開発
  • 2016 - 2018 狭バンドギャップ強磁性半導体を用いたスピン機能材料とデバイス
  • 2015 - 2018 強磁性半導体超薄膜におけるスピン依存熱電効果
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論文 (118件):
  • Sho Kagami, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai. Effects of post-growth annealing in YPtBi topological semimetal and Co/Pt perpendicular magnetization multilayers. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
  • Zhang Ruixian, Huy Ho Hoang, Takanori Shirokura, PHAM NAM HAI, Quang Le, Brian York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Michael Gribelyuk, Xiaoyu, et al. High spin Hall angle in BiSb topological insulator and perpendicularly magnetized CoFeB/MgO multilayers with metallic interfacial layers. Applied Physics Letters. 2024
  • Takanori Shirokura, Nguyen Huynh Duy Khang, Pham Nam Hai. High-efficient spin orbit torque generated by topological semimetal YPtBi deposited on oxidized Si substrates. Applied Physics Letters. 2024
  • Ken Ishida, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai. Enhanced spin Hall effect at high temperature in non-centrosymmetric silicide TaSi2 driven by Berry phase monopoles. Applied Physics Letters. 2023
  • Takanori Shirokura, Pham Nam Hai. High temperature spin Hall effect in topological insulator. Applied Physics Letters. 2023
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MISC (32件):
  • レデゥック アイン, グエンタン トゥ, 瀧口 耕介, 小林 正起, ファムナム ハイ, 田中 雅明. 強磁性半導体ルネサンス : Fe添加III-V族強磁性半導体がもたらす新展開. 固体物理 / アグネ技術センター [編]. 2023. 58. 2. 67-80
  • 宮本 泰敬, 加藤 大典, 髙橋 真央, 小倉 渓, 井口 義則, ファム ナム ハイ. 招待講演 Co/Tb磁性細線における磁区の記録・駆動とトポロジカル絶縁体の適用-Invited Talk : Recording and Driving of Magnetic Domains in [Co/Tb] Magnetic Nanowires and Application of Topological Insulator. 映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report. 2022. 46. 40. 17-22
  • 藤原 康, 白倉 孝典, ファム ナムハイ. YPt合金のスピンホール角の評価. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 1701-1701
  • 市村雅貴, NGUYEN Huynh Duy Khang, 高橋真央, 宮本泰敬, PHAM Nam Hai. BiSbトポロジカル絶縁体のスピンホール効果のSb組成比依存性. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
  • Takahashi Shunsuke, Ekaputra Yohar Kevin, Tanaka Masaaki, Pham Nam Hai. Improvement of output in anomalous Hall effect sensors using (In,Fe)Sb. JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020. 2020.1. 1961-1961
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学位 (1件):
  • 工学博士 (東京大学)
経歴 (4件):
  • 2024/04 - 現在 東京工業大学 工学院電気電子系 教授
  • 2016/04 - 2024/03 東京工業大学 工学院電気電子系 准教授
  • 2016/04 - 2023/03 東京大学 大学院工学系研究科スピントロニクス学術 連携研究教育センター 客員准教授
  • 2014/05 - 2016/03 東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻 准教授
受賞 (12件):
  • 2020 - 日本磁気学会 優秀研究賞 トポロジカル絶縁体による超巨大スピンホール効果の実現と超低消費電力磁気メモリへの応用に関する研究
  • 2019 - 在日ドイツ商工会議所 ドイツ・イノベーション・アワード「ゴットフリード・ワグネル賞2019 トポロジカル絶縁体における巨大なスピンホール効果と超低消費電力磁気抵抗メモリへの応用
  • 2017 - 丸文財団 丸文研究奨励賞 室温強磁性半導体(GaFe)Sbおよび(InFe)Asの開拓
  • 2013 - 一般財団法人 安藤研究所 第26回安藤博記念学術奨励賞 新型キャリア誘起強磁性半導体の研究
  • 2009 - 東京大学 工学系研究科長賞(最優秀賞) Spin dependent transport phenomena in III-V semiconductor heterostructures with ferromagnetic MnAs nano-scale particles
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所属学会 (3件):
IEEE Magnetics Society ,  日本磁気学会 ,  応用物理学会
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