研究者
J-GLOBAL ID:201801012943992084   更新日: 2025年01月20日

黒木 伸一郎

クロキ シンイチロウ | KUROKI SHIN-ICHIRO
所属機関・部署:
研究分野 (1件): 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (1件): シリコンカーバイド集積回路・デバイス/ シリコンカーバイド・パワー半導体デバイス・モジュール/ シリコン薄膜トランジスタ/ ネフロンチップ/ 極限環境エレクトロニクス
競争的資金等の研究課題 (14件):
  • 2024 - 2029 人類のフロンティア拡大を支えるSiC極限環境エレクトロニクスの確立
  • 2024 - 2025 シリコンカーバイド半導体による MGy 級耐放射線イメージセンサの研究開発
  • 2024 - 2025 マテリアル先端リサーチインフラ(ARIM)
  • 2020 - 2023 シリコンカーバイド極限環境エレクトロニクスのIoTプラットフォーム形成
  • 2021 - 2021 マテリアル先端リサーチインフラ(ARIM)
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論文 (192件):
  • Alex Metreveli, Vuong Van Cuong, Shin-Ichiro Kuroki, Kenichi Tanaka, Carl-Mikael Zetterling. IMPACT OF INTERFACE OXIDE TYPE ON THE GAMMA RADIATION RESPONSE OF SIC TTL ICS. FACTA UNIVERSITATIS. 2024. 37. 4. 599-607
  • Shin-Ichiro Kuroki, Toya Kai, Taisei Ozaki, Kazutoshi Kojima, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima , and Yasunori Tanaka. 4H-SiC Radiation Hardened Static Random Access Memory. IEEE Electron Device Letter. 2024. 45. 12. 2280-2283
  • Cuong, Vuong Van, Meguro, Tatsuya, Ishikawa, Seiji, Maeda, Tomonori, Sezaki, Hiroshi, Kuroki, Shin-Ichiro. Thermal stability of TiN gate electrode for 4H-SiC MOSFETs and integrated circuits. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2024. 63. 8
  • Meguro, Tatsuya, Tsutsumi, Masayuki, Takeyama, Akinori, Ohshima, Takeshi, Tanaka, Yasunori, Kuroki, Shin-Ichiro. 4H-SiC 64 pixels CMOS image sensors with 3T/4T-APS arrays. APPLIED PHYSICS EXPRESS. 2024. 17. 8
  • Van Cuong, Vuong, Koyanagi, Kaho, Meguro, Tatsuya, Ishikawa, Seiji, Maeda, Tomonori, Sezaki, Hiroshi, Kuroki, Shin-Ichiro. Study of interface-trap and near-interface-state distribution in a 4H-SiC MOS capacitor with the full-distributed circuit model. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2024. 63. 1
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講演・口頭発表等 (57件):
  • 高出力アプリケーション向け4H-SiC MOSFETゲートドライバ回路の高温動作
    (応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024)
  • 埋め込み型フォトダイオードを有するSiC CMOS アクティブピクセルセンサ
    (応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024)
  • チャネルドーズ量調整を用いたプレーナー型SiC全周ゲート構造JFETの作製
    (応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024)
  • Wet-POA処理による4H-SiC p-MOSFETのしきい値電圧特性
    (応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024)
  • 4H-SiC上のNiおよびNi/Nbオーミックコンタクト微細構造の評価
    (応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024)
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学歴 (1件):
  • 1999 - 2002 広島大学 理学研究科 物理科学専攻
学位 (2件):
  • 博士(理学) (広島大学)
  • 修士(理学) (広島大学)
経歴 (11件):
  • 2021/04/01 - 文部科学省マテリアル先端リサーチインフラ 広島大学責任者
  • 2019/04/01 - 文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム 微細加工実施機関・担当責任者
  • 2019/04/01 - 広島大学大学院先端物質科学研究科 副研究科長
  • 2019/04/01 - 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所 副研究所長
  • 2019/03/01 - 広島大学 ナノデバイス・バイオ融合科学研究所 教授
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委員歴 (54件):
  • 2024/04/01 - 2025/03/31 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会
  • 2024/01 - 2024/12 国際固体素子・材料コンファレンス事務局 国際固体素子材料コンファレンス(SSDM)論文委員
  • 2023/04/01 - 2024/03/31 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会
  • 2023/04 - 2024/03 公益社団法人応用物理学会 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 幹事
  • 2023/01 - 2023/12 薄膜材料デバイス研究会 薄膜材料デバイス研究会 組織・実行委員
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受賞 (4件):
  • 2023/12/13 - SEMIジャパン Semicon Japan アカデミアAward 最優秀賞
  • 2018/10/01 - 公益社団法人応用物理学会会長 第79回応用物理学会秋季学術講演会Poster Award
  • 2013/03/06 - 一般財団法人丸文財団 丸文財団 交流研究助成 シリコンカーバイド半導体による放射線耐性に優れたCMOS集積回路の研究
  • 2012/07/04 - AM-FPD Organizing Committee Chair(AM-FPD組織委員会 委員長),AM-FPD Award Committee Chair(AM-FPD Award委員会 委員長) AM-FPD '11 Poster Award
所属学会 (3件):
米国電気化学会 ,  IEEE米国電気電子学会 ,  応用物理学会
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