畠山哲夫

ハタケヤマテツオ | Hatakeyama Tetsuo

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (1件)： https://scholar.google.co.jp/citations?user=HDMVl-QAAAAJ&hl=ja

研究分野 (2件)：半導体、光物性、原子物理 , 電気電子材料工学

研究キーワード (5件)：デバイスシミュレーション , SiC MOS界面 , SiCパワーデバイス , ワイドバンドギャップ半導体 , SiC

競争的資金等の研究課題 (2件)：

論文 (112件)：

Tetsuo Hatakeyama, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada. Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs. Journal of Applied Physics. 2022. 131. 14. 145701-145701
Hiroki Sakata, Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Hirohisa Hirai, Shinsuke Harada, Tetsuo Hatakeyama, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro. Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. 6. 060901-060901
岡本大, 染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫. On-the-fly Charge Pumping法によるSiC MOSFET NBTI劣化メカニズムの解析. 「電子デバイス界面テクノロジー研究会」 (第26回研究会) 予稿集. 2021
畠山哲夫, 平井悠久, 染谷満, 岡本大, 岡本光央, 原田信介. SiC MOS反転層移動度の劣化要因に関する理論的考察. 「電子デバイス界面テクノロジー研究会」 (第26回研究会) 予稿集. 2021
Hirohisa Hirai, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada, Hajime Okumura, Hiroshi Yamaguchi. Difference in electron mobility at 4H-SiC/SiO2 interfaces with various crystal faces originating from effective-field-dependent scattering. Applied Physics Letters. 2020. 117. 4. 042101-042101

講演・口頭発表等 (55件)：

4H-SiC/SiO2界面におけるバンド配列の面方位依存性に関する理論検討
(2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
TCADにおけるSiC MOS反転層移動度のモデル化に関する考察
(先進パワー半導体分科会第9回講演会(2022年秋) 2022)
SiC PiN ダイオードの p 型エミッタの低注入条件の TCAD による検討
(令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2022)
SiC MOSFET のI-V特性を再現するTCAD移動度モデルの検討
(令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2022)
TCADによるSiC MOSFETのCP特性の捕獲断面積依存性の評価
(令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2022)

学歴 (4件)：

学位 (1件)：

経歴 (5件)：

所属学会 (1件)：

応用物理学会

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畠山 哲夫