研究者

J-GLOBAL ID：201801017969879601 更新日: 2024年08月02日

村上英一

Murakami Eiichi

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (3件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学 , 電力工学

研究キーワード (5件)： GOI , NBTI , TDDB , PBTI , SiC-MOSFET

論文 (52件)：

Eiichi Murakami, Mitsuo Okamoto. Anomalous Behavior of Gate Current and TDDB Lifetime by Constant Voltage Stress in NO-annealed SiC-MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices. 2021. 68. 3. 1207-1213
Eiichi Murakami, Tatsuya Takeshita, Kazuhiro Oda. TDDB Lifetime Enhancement in SiC-MOSFETs under Gate-Switching Operations. Materials Science Forum. 2020. 1004. 665-670
Eiichi Murakami, Takahiro Furuichi, Tatsuya Takeshita, Kazuhiro Oda. Suppression of PBTI of SiC-MOSFETs under 100 kHz gate-switching operation by using a gate off-voltage of -5 V. Materials Science Forum. 2018. 924. 711-714
Eiichi Murakami, Takahiro Furuichi, Tatsuya Takeshita, Kazuhiro Oda. Positive bias temperature instability of SiC-MOSFETs induced by gate-switching operation. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2017. 56. 4
Eiichi Murakami, Kazuhiro Oda, Tatsuya Takeshita. Special features of Fowler-Nordheim stress degradation of SiC-MOSFETs. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2016. 55. 4

もっと見る

MISC (4件)：

村上英一, 古市貴文. I-V,C-V法を用いたSiC-MOSFET Fowler-Nordheimストレス劣化の解析. 九州産業大学総合機器センター研究報告. 2016. 19. 1-6
Hirai Masaaki, Kusaka Masahiko, Iwami Motohiro, Nakamura Hatsuo, Murakami Eiichi, Nakagawa Kiyokazu. Nondestructive Observation of Si_0.5Ge_0.5/Ge/Si_1-xGe_x Heterostructure Using Soft X-Ray Emission Spectroscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 1991. 30. 9. L1653-L1655
E. Murakami, M. Tamura, K. Kusukawa, M. Moniwa, T. Warabisako, M. Miyao. Crystal Defect Study of Solid Phase Epitaxially Grown Si Surrounded by SiO2 Structures. 1988 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Extended Abstracts. 1988. 185-188
楠川喜久雄, 茂庭昌弘, 村上英一, 宮尾正信, 蕨迫光紀, 徳山巍. MOSトランジスタによる固相成長SOI層の電気的特性評価. 応用物理. 1987. 56. 11. 1495-1500

特許 (6件)：

もっと見る

講演・口頭発表等 (29件)：

Significant Differences in BTI and TDDB Characteristics of Commercial Planar SiC-MOSFETs
(13 th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020·2021) 2021)
TDDB lifetime enhancement of SiC-MOSFETs under gate-switching operation
(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 2019)
車載向け半導体デバイス信頼性の基礎
(SEAJ検査専門委員会主催技術講演会 2019)
SiC-MOSFETゲートスイッチング動作時の信頼性向上効果
(応用物理学会第66回春季学術講演会 2019)
SiC-MOSFETの温度依存(-60-200°C)ドレイン電流モデル
(応用物理学会第66回春季学術講演会 2019)

もっと見る

学歴 (2件)：

1981 - 1983 早稲田大学大学院理工学研究科物理学及び応用物理学専攻(理学修士)
1978 - 1981 早稲田大学理工学部応用物理学科

学位 (1件)：

博士(工学) (早稲田大学)

経歴 (5件)：

2013/04 - 現在九州産業大学工学部、理工学部教授
2010/04 - 2012/10 ルネサスエレクトロニクス解析評価技術部・歩留技術開発部部長
2006/10 - 2010/03 ルネサステクノロジ解析技術開発部部長
2003/04 - 2006/09 ルネサステクノロジ信頼性設計G グループマネージャ
1983/04 - 2003/03 日立製作所中央研究所・半導体グループ主任研究員・主任技師など

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

TOP

BOTTOM