研究者
J-GLOBAL ID:201801017969879601   更新日: 2021年03月23日

村上 英一

Murakami Eiichi
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (3件): 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  電力工学
研究キーワード (5件): GOI ,  NBTI ,  TDDB ,  PBTI ,  SiC-MOSFET
論文 (51件):
MISC (4件):
特許 (6件):
講演・口頭発表等 (28件):
  • TDDB lifetime enhancement of SiC-MOSFETs under gate-switching operation
    (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 2019)
  • 車載向け半導体デバイス信頼性の基礎
    (SEAJ検査専門委員会主催 技術講演会 2019)
  • SiC-MOSFETゲートスイッチング動作時の信頼性向上効果
    (応用物理学会第66回春季学術講演会 2019)
  • SiC-MOSFETの温度依存(-60-200°C)ドレイン電流モデル
    (応用物理学会第66回春季学術講演会 2019)
  • SiC-MOSFETのPBTストレス後回復の温度依存性
    (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
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学歴 (2件):
  • 1981 - 1983 早稲田大学大学院 物理学及び応用物理学専攻(理学修士)
  • 1978 - 1981 早稲田大学 応用物理学科
学位 (1件):
  • 博士(工学) (早稲田大学)
経歴 (5件):
  • 2013/04 - 現在 九州産業大学 工学部、理工学部 教授
  • 2010/04 - 2012/10 ルネサスエレクトロニクス 解析評価技術部・歩留技術開発部 部長
  • 2006/10 - 2010/03 ルネサステクノロジ 解析技術開発部 部長
  • 2003/04 - 2006/09 ルネサステクノロジ 信頼性設計G グループマネージャ
  • 1983/04 - 2003/03 日立製作所 中央研究所・半導体グループ 主任研究員・主任技師など
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