研究者

J-GLOBAL ID：201801017969879601 更新日: 2024年10月20日

村上英一

Murakami Eiichi

所属機関・部署：
職名： (元)教授

研究分野 (3件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学 , 電力工学

研究キーワード (5件)： GOI , NBTI , TDDB , PBTI , SiC-MOSFET

論文 (52件)：

Eiichi Murakami, Mitsuo Okamoto. Anomalous Behavior of Gate Current and TDDB Lifetime by Constant Voltage Stress in NO-annealed SiC-MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices. 2021. 68. 3. 1207-1213
Eiichi Murakami, Tatsuya Takeshita, Kazuhiro Oda. TDDB Lifetime Enhancement in SiC-MOSFETs under Gate-Switching Operations. Materials Science Forum. 2020. 1004. 665-670
Eiichi Murakami, Takahiro Furuichi, Tatsuya Takeshita, Kazuhiro Oda. Suppression of PBTI of SiC-MOSFETs under 100 kHz gate-switching operation by using a gate off-voltage of -5 V. Materials Science Forum. 2018. 924. 711-714
Eiichi Murakami, Takahiro Furuichi, Tatsuya Takeshita, Kazuhiro Oda. Positive bias temperature instability of SiC-MOSFETs induced by gate-switching operation. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2017. 56. 4
Eiichi Murakami, Kazuhiro Oda, Tatsuya Takeshita. Special features of Fowler-Nordheim stress degradation of SiC-MOSFETs. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2016. 55. 4

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MISC (4件)：

特許 (6件)：

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講演・口頭発表等 (30件)：

Classification of Commercial SiC-MOSFETs Based on Time-Dependent Gate-current Characteristics
(International Reliability Physics Symposium 2023)
Significant Differences in BTI and TDDB Characteristics of Commercial Planar SiC-MOSFETs
(13 th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020·2021) 2021)
TDDB lifetime enhancement of SiC-MOSFETs under gate-switching operation
(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 2019)
車載向け半導体デバイス信頼性の基礎
(SEAJ検査専門委員会主催技術講演会 2019)
SiC-MOSFETゲートスイッチング動作時の信頼性向上効果
(応用物理学会第66回春季学術講演会 2019)

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学歴 (2件)：

1981 - 1983 早稲田大学大学院理工学研究科物理学及び応用物理学専攻(理学修士)
1978 - 1981 早稲田大学理工学部応用物理学科

学位 (1件)：

博士(工学) (早稲田大学)

経歴 (6件)：

2024/04 - 現在日本電子株式会社経営戦略室経営企画部 SI事業開発推進グループ技術顧問
2013/04 - 2024/03 九州産業大学工学部、理工学部教授
2010/04 - 2012/10 ルネサスエレクトロニクス解析評価技術部・歩留技術開発部部長
2006/10 - 2010/03 ルネサステクノロジ解析技術開発部部長
2003/04 - 2006/09 ルネサステクノロジ信頼性設計G グループマネージャ

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