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J-GLOBAL ID：201802210086829039   整理番号：18A0917634

高均一InAs/GaAs量子ドット超格子を用いた中間バンド太陽電池における基本状態ミニバンド形成により増強された二段階光電流発生

Two-step photocurrent generation enhanced by the fundamental-state miniband formation in intermediate-band solar cells using a highly homogeneous InAs/GaAs quantum-dot superlattice

著者 (4件)： HIRAO Kazuki (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  ASAHI Shigeo (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  KAIZU Toshiyuki (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  KITA Takashi (Kobe Univ., Kobe, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 1  ページ： 012301.1-012301.4  発行年： 2018年01月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,高度に均一なInAs/GaAs量子ドット超格子(QDSL)を組み込んだ中間バンド太陽電池(IBSCs)を調査した。QDサイズの均一性を制御することにより,QDSL-IBSCにおいてFSミニバンドが形成され,二段階光子吸収により発生した余分な光電流は基本状態(FS)で著しく増大した。ここでは,ミニバンドに励起されたキャリアは内部電場において空間的に分離し,ミニバンドの中間状態における長寿命電子はサブバンド間吸収強度を増加させた。したがって,二段階光電流応答は約1.2μmでQDSL-FSに対応する長波長側に広がった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *ヒ化ガリウム ,  *太陽電池 ,  *量子ドット ,  *バンド構造 ,  二光子吸収 ,  電場 ,  光吸収 ,  光電流
準シソーラス用語： *量子ドット超格子型太陽電池 ,  中間バンド型太陽電池 ,  *ミニバンド構造 ,  内部電場 ,  サブバンド間吸収

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (21件)：

• A. Luque and A. Martí, Phys. Rev. Lett. 78, 5014 (1997).
• W. G. Hu, T. Inoue, O. Kojima, and T. Kita, Appl. Phys. Lett. 97, 193106 (2010).
• Y. Okada, N. J. Ekins-Daukes, T. Kita, R. Tamaki, M. Yoshida, A. Pusch, O. Hess, C. C. Phillips, D. J. Farrell, K. Yoshida, N. Ahsan, Y. Shoji, T. Sogabe, and J.-F. Guillemoles, Appl. Phys. Rev. 2, 021302 (2015).
• S. Asahi, H. Teranishi, N. Kasamatsu, T. Kada, T. Kaizu, and T. Kita, J. Appl. Phys. 116, 063510 (2014).
• S. Asahi, H. Teranishi, N. Kasamatsu, T. Kada, T. Kaizu, and T. Kita, IEEE J. Photovoltaics 6, 465 (2016).

タイトルに関連する用語 (8件)： InAs ,  GaAs ,  量子ドット超格子 ,  中間バンド太陽電池 ,  ミニバンド ,  増強 ,  段階 ,  光電流