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J-GLOBAL ID:201802210118131300   整理番号:18A1097978

スルホニル基を含む二次元キノン型狭バンドギャップ共重合体の調製と性能【JST・京大機械翻訳】

Preparation and Properties of Two-dimensional Quinoidal Low Bandgap Copolymer Containing Sulfonyl Group
著者 (4件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: 83-88  発行年: 2018年 
JST資料番号: C2917A  ISSN: 1005-1511  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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チエノ[3,2-b]チオフェンを共役側基,ベンゾ[1,2-b:4,5-b′]ジチオフェンとスルホニル置換チエノ[3,4-b]チオフェンを共重合単位とし,Pd2(dba)3-P(o-tol)3で触媒した。二次元狭バンドギャップキノン共重合体(PTTBDT-TTS,1)をStille重縮合により合成し,それらの構造を1HNMR,元素分析及びゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)を用いて特性化した。その結果;1は良好な膜形成性と熱安定性を示した。1は300800nmで強い吸収を示し,HOMOエネルギーは-5.45eVであった。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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太陽電池  ,  高分子固体の物理的性質 
物質索引 (1件):
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