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J-GLOBAL ID：201802210347909001   整理番号：18A0521663

ナノスケール領域におけるPチャネル対称二重ゲートMOSFETのしきい値電圧とサブしきい値電流のモデル化【Powered by NICT】

Modeling of Threshold Voltage and Subthreshold Current for P-Channel Symmetric Double-Gate MOSFET in Nanoscale Regime

著者 (2件)： Ahmed Rekib Uddin ,  Saha Prabir
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： iNIS  ページ： 179-183  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文ではナノスケール領域における軽くドープしたpチャネル対称二重ゲート(DG)MOSFETの解析的しきい値電圧とサブしきい値電流モデルを提示した。チャネル中の電位分布の解析的方程式を,弱い反転領域の制約を持つPoisson方程式を解くことにより導出した。デバイスのしきい値電圧方程式は最大可能性位置での反転電荷シート密度から導出した。素子の準しきい値電流モデルは,短チャネル効果すなわちしきい値電圧ロールオフの一つとコアドレイン電流モデルを拡張することにより導出した。表面粗さ散乱のような物理的効果をサブしきい値電流モデルに導入した。チャネル長とシリコン基板厚さとサブしきい値電流モデルの関数としてしきい値電圧モデルから得られた結果は,デバイスシミュレータAtlasから得られたシミュレーション結果と良く一致することを明らかにした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *チャネル ,  *MOSFET ,  *モデリング ,  *モデル ,  *電流 ,  Poisson方程式 ,  短チャネル効果 ,  電位分布 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： チャネル長 ,  *閾値電流 ,  *サブ閾値 ,  *閾値電圧 ,  *二重ゲート ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： ナノスケール ,  チャネル ,  対称 ,  二重ゲート ,  MOSFET ,  しきい値電圧 ,  サブ ,  しきい値電流 ,  モデル化