文献

J-GLOBAL ID：201802210413778787   整理番号：18A1477189

位相場シミュレーションによる強誘電体薄膜の分域構造に及ぼす歪効果【JST・京大機械翻訳】

Strain effects on domain structures in ferroelectric thin films from phase-field simulations

著者 (5件)： Lin Fang-Yin (Department of Materials Science and Engineering, The University of Florida, Gainesville, Florida) ,  Lin Fang-Yin (Department of Materials Science and Engineering, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania) ,  Cheng Xiaoxing (Department of Materials Science and Engineering, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania) ,  Chen Long-Qing (Department of Materials Science and Engineering, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania) ,  Sinnott Susan B. (Department of Materials Science and Engineering, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 101  号： 10  ページ： 4783-4790  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪と印加外部電場は強誘電体薄膜における分域発展と関連する強誘電応答に影響することが知られている。ここでは,強い引張から強い圧縮までの範囲の一連の不整合歪の下で,ジルコニウム酸チタン酸鉛(PZT)薄膜の平衡ドメイン構造と分極場(P-E)ヒステリシスループを予測するために,フェーズフィールドシミュレーションを用いた。特に,異なる印加歪下でのドメインの進展とP-E曲線は,比較的小さな保磁力と残留分極の原因となるドメインスイッチングの間の面内分極の出現であるメソスケール機構を明らかにした。Landauエネルギー分布を解析し,種々の歪条件下での領域発展をより良く理解した。結果は,望ましいP-Eヒステリシスループとドメイン構造を得るための不整合歪の選択のための指針を提供する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヒステリシス ,  ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *シミュレーション ,  曲線 ,  保磁力 ,  *薄膜 ,  *分域 ,  分極
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  ドメイン構造 ,  不整合歪 ,  誘電応答 ,  外部電場 ,  印加電圧 ,  *強誘電体薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ドメイン ,  強誘電性/強誘電性材料 ,  ヒステリシス ,  シミュレーション ,  歪

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 位相 ,  シミュレーション ,  強誘電体薄膜 ,  分域構造 ,  歪効果