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J-GLOBAL ID：201802210443009622   整理番号：18A1667206

シリコン上の金ナノ粒子の集束イオンビームで可能な無電解成長

Focused-ion-beam-enabled electroless growth of gold nanoparticles on silicon

著者 (1件)： NISHI Masayuki (Department of Material Chemistry, Graduate School of Engineering, Kyoto University)
資料名： Journal of the Ceramic Society of Japan (Web)  (Journal of the Ceramic Society of Japan (Web))
巻： 126  号： 8  ページ： 614-624(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： U0409A  ISSN： 1348-6535  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金ナノ粒子は,純粋な塩化金酸溶液への曝露に応答して,シリコン基板の集束イオンビーム照射領域上で選択的に成長する。したがって,この領域選択的金属堆積はレジスト膜,シラン結合剤,および電解を使用しない。ほとんど常に,シリコン上への金の無電解析出で使用されているフッ化水素酸は,ミクロ/ナノスケール領域が対象となる限り不要である。本レビューでは,シリコンウエハと同様に市販の原子間力顕微鏡プローブを含む,シリコン製品の所望の局所領域上に金を成長させる方法をどのように開発したかに焦点を当て,その機構を議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *金 ,  クロロ錯体 ,  金錯体 ,  溶液 ,  *集束イオンビーム ,  *無電解めっき ,  原子間力顕微鏡 ,  プローブ ,  還元剤 ,  表面増強Raman散乱
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  塩化金酸 ,  *金ナノ粒子 ,  *領域選択成長

著者キーワード (5件)： 金ナノ粒子 ,  シリコン ,  集束イオンビーム(FIB) ,  無電解めっき ,  増強Raman散乱

分類 (1件)： 無電解めっき  (WC08024S)

物質索引 (1件)： 3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン

引用文献 (80件)：

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• 3) E. C. Dreaden, A. M. Alkilany, X. Huang, C. J. Murphy and M. A. El-Sayed, Chem. Soc. Rev., 41, 2740–2779 (2012).
• 4) J. N. Anker, W. P. Hall, O. Lyandres, N. C. Shah, J. Zhao and R. P. Van Duyne, Nat. Mater., 7, 442–453 (2008).
• 5) M. Valcárcel and Á. I. López-Lorente, “Gold Nanoparticles in Analytical Chemistry,” in Vol. 66 in “Comprehensive Analytical Chemistry” Series Ed. by D. Barcelo, Elsevier (2014).

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  金ナノ粒子 ,  集束イオンビーム ,  電解 ,  成長