文献

J-GLOBAL ID：201802210548986477   整理番号：18A0910952

高Al含有量のMgドープAlN/AlGaN超格子における高正孔濃度

High hole concentration in Mg-doped AlN/AlGaN superlattices with high Al content

著者 (4件)： EBATA Kazuaki (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  NISHINAKA Junichi (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TANIYASU Yoshitaka (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KUMAKURA Kazuhide (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 4S  ページ： 04FH09.1-04FH09.3  発行年： 2018年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 含有量 ,  ドーピング ,  窒化アルミニウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *化合物半導体 ,  *超格子 ,  *キャリア密度 ,  イオン化ポテンシャル ,  バンド構造 ,  バンド曲がり ,  *正孔濃度 ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： AlGaN ,  イオン化エネルギー

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Al含有量 ,  Mg ,  ドープ ,  AlN ,  AlGaN ,  超格子 ,  正孔濃度