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J-GLOBAL ID：201802210798055367   整理番号：18A1596495

二次元Si_2BNにおける超高キャリア移動度の達成とバンドギャップの開放【JST・京大機械翻訳】

Achieving ultrahigh carrier mobilities and opening the band gap in two-dimensional Si₂BN

著者 (5件)： Singh Deobrat (Department of Physics, Government College of Engineering and Technology, Bikaner 334004, Rajasthan, India) ,  Gupta Sanjeev K. ,  Sonvane Yogesh ,  Hussain Tanveer ,  Ahuja Rajeev
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 20  号： 33  ページ： 21716-21723  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,シリコン,ホウ素および窒素からなる二次元(2D)Si_2BN単分子層材料が理論的に予測され,科学的コミュニティにおいて興味を引いている。高い形成エネルギーを有するその2D平面的性質のために,Si_2BN単分子層は柔軟で強い様なグラフェンとなり,他の2D材料のような捕獲特性を示す。Si_2BNのこの魅力的なグラフェン様単分子層に動機付けられて,第一原理計算に基づいてその構造的および電子的性質を調べた。純粋なSi_2BNの電子バンド構造は金属挙動を示す。Si_2BN単分子層のバンドギャップは外部電場と機械的歪を印加することにより102meVに調整できることを発見した。バンドギャップ開口は5%歪で起こり,そこでは最近接間の結合角はほぼ等しくなる。バンドギャップ開口は0.4VÅ-1の小さな外部電場で起こる。興味あることに,室温では,Si_2BNの電子移動度は4.73×10~5cm~2V~-1s-1で,正孔移動度は1.11×10~5cm2V~-1s-1で,電子移動度よりわずかに小さかった。Si_2BNの超高キャリア移動度は,高性能電子および光電子デバイスにおける多くの新しい応用をもたらす可能性がある。これらの理論結果は,Si_2BN単分子層が,Si_2BNベースの電子デバイスの性能を著しく高める可能性がある多重効果を示すことを示唆している。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 計算 ,  単分子層 ,  *バンドギャップ ,  ホウ素 ,  多重化 ,  捕獲 ,  開口 ,  *ケイ素 ,  *キャリア移動度 ,  グラフェン ,  窒素 ,  *二次元
準シソーラス用語： 電子素子 ,  電子移動度 ,  外部電場 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (2件)： キャリア移動度 ,  バンドギャップ