文献

J-GLOBAL ID：201802211001430260   整理番号：18A0360323

新しい絶縁体-2D金属転移FETに基づく優れた安定性を持つSTDPシナプス

STDP Synapse with Outstanding Stability based on a Novel Insulator-to-2D-Metal Transition FET

著者 (6件)： STOLIAR Pablo (National Inst. of Advanced Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  STOLIAR Pablo (CIC nanoGUNE, San Sebastian, ESP) ,  SCHULMAN Alejandro (National Inst. of Advanced Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  KITOH Ai (National Inst. of Advanced Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  SAWA Akihito (National Inst. of Advanced Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  INOUE Isao H (National Inst. of Advanced Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 427(SDM2017 91-96)  ページ： 17-20  発行年： 2018年01月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *神経可塑性 ,  シナプス ,  安定性 ,  *MESFET ,  *金属-絶縁体転移 ,  チタン酸ストロンチウム ,  フィラメント ,  ダイナミックレンジ ,  消費電力 ,  *スパイクタイミング依存シナプス可塑性
準シソーラス用語： *STDP ,  低消費電力

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (10件)：

• G. Indiveri and S. C. Liu, Memory and information processing in neuromorphic systems, Proc. IEEE, vol.103, no.8, pp.1379-1397, Aug 2015.
• W. Maass, Networks of spiking neurons: the third generation of neural network models, Neural Networks, vol.10, no.9, pp.1659-1671, Dec 1997.
• S. H. Jo, T. Chang, I. Ebong, B. B. Bhadviya, P. Mazumder and W. Lu, Nanoscale memristor device as synapse in neuromorphic systems, Nano letters, vol. 10, no.4, pp.1297-1301, Mar 2010.
• A. B. Eyvazov, I. H. Inoue, P. Stoliar, M. J. Rozenberg and C. Panagopoulos, Enhanced and continuous electrostatic carrier doping on the SrTiO₃ surface, Sci. Rep., vol.3, nn.1721, Apr 2013. N. Kumar, A. Kitoh and I. H. Inoue, Anomalous enhancement of the sheet carrier density beyond the classic limit on a SrTiO₃ surface, Sci. Rep., vol.6, nn.25789, May 2016.
• A. Schulman, A. Kitoh, P. Stoliar and I. H. Inoue, Sign-changing non-monotonic voltage gain of HfO₂/Parylene-C/SrTiO₃ field-effect transistor due to percolative insulator to two-dimensional metal transition, Appl. Phys. Lett., vol.110, no.1, nn.013502, Jan 2017.

タイトルに関連する用語 (6件)： 絶縁体 ,  2D ,  FET ,  安定性 ,  STDP ,  シナプス