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J-GLOBAL ID：201802211232388059   整理番号：18A2163044

高速シリコンフォトニクス変調器【JST・京大機械翻訳】

High-Speed Silicon Photonics Modulators

著者 (1件)： Witzens Jeremy (Institute of Integrated Photonics, RWTH Aachen University, Aachen, Germany)
資料名： Proceedings of the IEEE  (Proceedings of the IEEE)
巻： 106  号： 12  ページ： 2158-2182  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2000年代初期にシリコンベースの技術からギガヘルツ帯域幅変調器を実現することにより,シリコンフォトニクスの開発が可能になった。変調速度は50GHz以上で良く進行し,電流と新しい変調フォーマットの帯域幅要求を満たし,同時に低駆動電圧と低挿入損失を得ることは非常に活発な研究分野である。変調器は一般的に二つのカテゴリ,すなわち直接吸収と埋め込まれた移相器に依存するものになるが,本論文の焦点は,複素値変調と光広帯域動作の両方をサポートできる後者にある。本論文では,現在開発されている改良経路と同様に,最新の現状を概観した。最初に,一般的な移相器構成,電気駆動に関連する側面,および関連する電力消費についてレビューした。さらに,低速波,共鳴,およびプラズモン増強を検討した。読者は,これらのデバイスの最適化によりfamili化され,現在の技術の限界と新しいハイブリッド材料統合の可能性の感覚を提供した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 低速度 ,  広帯域 ,  *ケイ素 ,  プラズモン ,  *高速度 ,  帯域幅 ,  挿入損 ,  *変調器 ,  電力消費 ,  電流 ,  最適化 ,  移相器
準シソーラス用語： 駆動電圧 ,  変調フォーマット ,  *シリコンフォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコンフォトニクス ,  変調器