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J-GLOBAL ID：201802211252293962   整理番号：18A0382557

センシング応用のための温度と波長と比較したゲルマニウムとシリコン半導体の光学非線形性【Powered by NICT】

Optical nonlinearity in germanium and silicon semiconductor vis-a-vis temperature and wavelengths for sensing application

著者 (2件)： Mishra C.S. (Gandhi Institute for Technological Advancement (GITA), Bhubaneswar, India) ,  Palai G. (Gandhi Institute for Technological Advancement (GITA), Bhubaneswar, India)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 137  ページ： 37-44  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： センシング応用を実現する光強度の非線形挙動を研究するためのIR領域の異なる波長でゲルマニウムとシリコン半導体構造における「広い温度範囲」を検討した。構造その強度は吸収,反射,回折および分極損失のcogitationと予想される,損失は種々の温度,波長の広い範囲でのゲルマニウムのためのシリコンと100~550Kの100Kから750Kまでの範囲を調べた。計算結果は,前述の損失シリコンとゲルマニウム構造から得られた強度はある温度まで増加することを明かすを扱い,さらに同じ増加と共に減少した。結果の性質はSiに対するGeと1.2~14μmの1.9μmから18μmまで変化する全ての入力信号に対して同一であった。最後に,本論文では提案した半導体構造の光強度の非線形性を確認した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *半導体 ,  分極 ,  *非線形性 ,  *波長 ,  *ケイ素 ,  *非線形光学
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  非線形挙動 ,  光強度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 温度 ,  波長 ,  伝送された強度 ,  ゲルマニウムとシリコン中の損失

分類 (2件)： 非線形光学  (BD05000T) ,  光学情報処理  (BD03060T)

タイトルに関連する用語 (6件)： センシング ,  応用 ,  波長 ,  ゲルマニウム ,  シリコン ,  光学非線形性