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J-GLOBAL ID:201802211353575869   整理番号:18A1028244

Cu_2SnS_3/Mo界面の化学的安定性【JST・京大機械翻訳】

Chemical stability of the Cu2SnS3/Mo interface
著者 (3件):
資料名:
巻: 2017  号: PVSC  ページ: 1-3  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Cu_2SnS_3は,光起電力応用のために研究された地球に豊富な半導体である。Sn2+/4+酸化状態における小さなエネルギー差とMoS_2の低い自由エネルギーのために,Cu_2SnS_3/Mo界面は不安定で,Cu_2SnS_3は分解する。界面は薄いMoS_2層上にCu_2SnS_3を成長させることによって安定化される。MoS_2上で成長させたとき,光ルミネセンスはCu_2SnS_3層の背面でのみ起こり,CuとSnの定量可能量はMoS_2基板で測定されなかった。Mo上に成長したCu_2SnS_3の発光の消光は,Moの存在下で形成された二元硫化物に起因し,Cu_2SnS_3がMoS_2上に成長したときには形成されない。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 
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