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J-GLOBAL ID：201802211442276148   整理番号：18A2026627

フレキシブルなMetglas/ポリ(ふっ化ビニリデン)ヘテロ構造における巨大零バイアス磁気電気結合特性【JST・京大機械翻訳】

Giant zero-biased magnetoelectric coupling characteristics in flexible Metglas/poly(vinylidene fluoride) heterostructures.

著者 (6件)： Long Y. (College of Optoelectronic Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Qiu J. (College of Optoelectronic Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  He X. (College of Optoelectronic Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Chang Q. (College of Optoelectronic Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Hu Z. (College of Optoelectronic Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Liu H. (College of Optoelectronic Engineering, Chongqing University, Chongqing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： INTERMAG  ページ： 1  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気電気(ME)効果は,磁気貯蔵,エネルギーハーベスタ,磁場センサ,変圧器,およびマイクロ波デバイスを含む多数の新しい多機能デバイスへの応用の可能性により,過去数十年において劇的な研究関心を引き付けてきた。[1]~[2]は,異なる原理によって材料中に存在する:磁歪と圧電相の間の弾性結合(ME複合体における)または電気双極子と磁気モーメントの結合(単一相ME材料における)。一般的に,ME単相材料は,低温で典型的に発生するそれらの低いME応答のために,技術的応用において利用するのに適していない。単相ME材料と比較して,ME複合材料は室温において開始可能なME結合特性を示した。さらに,ME複合材料の中で,積層材料は最大のME応答を示し,工業的応用のための最も適切な構造である。しかし,積層ME複合材料は,高いME変換係数と強いME応答を示したが,外部dcバイアス磁場(H_dc)は,高いH_dc下でのみ得られ,生産コストを改善し,工業生産の技術的困難さを増加させる。これらの欠点を克服するために,いくつかの研究者がゼロバイアスME複合材料に焦点を当てている。特に,MandalらはPZTと磁化勾配強磁性層の試料に対するゼロバイアスME結合を報告し,NiとMetglasの使用により磁化の勾配を達成した。[3]Chenらは,圧電セラミックPZT,巨大磁歪材料Terfenol-D,および異なる厚さの軟磁性合金FeCuNbSiBから成るマルチフェロイックヘテロ構造がゼロバイアスにおけるME係数の増強を示すことを実証した。これらの研究は積層材料のゼロバイアスME応答を調べているが,複雑な合成プロセスを必要とする。さらに,圧電セラミック(例えばPZTおよび(PMN-PT))から成る従来のセラミックベース積層ME複合材料は,通常,脆弱性,非曲げ性,疲れおよび高価であり,柔軟性,複雑な形状およびコストに関して産業需要の増加を満たさず,摩耗可能な装置のような急速に成長する技術分野で使用されている。これらを念頭に置いて,本論文では,FeSiB(Metglas)/ポリ(フッ化ビニリデン)(PVDF)から成る柔軟なゼロバイアス積層ME複合材料を提示し,そのゼロバイアスME結合特性とMEセンシング性能を調べた。複合材料の最適サイズは,共鳴磁気電圧係数,αME,r,値を最適化することによって決定した。複合材料の適切なサイズは,消磁効果によるゼロバイアスME結合特性に好都合であることが分かった。さらに,曲げ状態で使用される複合材料の能力を評価するために,異なる曲げ条件下でのH_dcとの共鳴MEVCの間の関係も調べた。図1で示されたように,ゼロバイアス共鳴MEVCは,θが50°まで増加すると,約76%の減衰を示した。ゼロバイアス共鳴MEVCは曲げ状態下で実質的な低下を示すが,依然として非常に大きな値を持っている。一方,提案した複合材料は,また,開始可能な交流磁場(H_ac)センシング性能を持っている。誘導ゼロバイアスME電圧は,低周波数(1kHz)と共振周波数(57.3kHz)の両方において,図2で示されるように,交流磁場に対して優れた線形関係を有する。明らかに,提案したゼロバイアスFeSiB/PVDF複合材料は,摩耗可能なデバイスに適用できる大きな可能性を有することを明確に示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 複合材料 ,  *バイアス ,  最適化 ,  ニッケル ,  *磁気電気効果 ,  磁歪 ,  積層材料 ,  柔軟性 ,  圧電気 ,  共振周波数 ,  共鳴 ,  磁化 ,  *磁気 ,  電圧
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： ふっ化ビニリデン ,  ヘテロ構造 ,  バイアス ,  磁気電気結合