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J-GLOBAL ID：201802211487901306   整理番号：18A1113394

ハイブリッド同軸および単軸InGaN/GaN多重量子井戸ナノ構造を用いて作製したIII-窒化物ナノワイヤ太陽電池【JST・京大機械翻訳】

A III-nitride nanowire solar cell fabricated using a hybrid coaxial and uniaxial InGaN/GaN multi quantum well nanostructure

著者 (7件)： Park Ji-Hyeon (Semiconductor Materials Process Laboratory, School of Advanced Materials Engineering, Engineering College, Research Center for Advanced Materials Development (RCAMD), Chonbuk National University, Baekje-daero 567, Jeonju 54896, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Nandi R. ,  Sim Jae-Kwan ,  Um Dae-Young ,  Kang San ,  Kim Jin-Soo ,  Lee Cheul-Ro
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 8  号： 37  ページ： 20585-20592  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III族窒化物ナノワイヤは,現在,それらの優れた物理的性質により,転位密度の低下,表面積の増加,およびキャリア輸送のための光吸収と直接経路の増強により,次世代光起電力材料として考えられている。ここでは,InGaNナノキャップ層に沿った一軸および同軸InGaN/GaN多重量子井戸(MQW)から成る新しいハイブリッドナノ構造から作製した太陽電池の光起電力特性を調べた。種々のキャラクタリゼーション法を用いて,ハイブリッドナノ構造の光学的および構造的性質を研究した。透過型電子顕微鏡画像は,ハイブリッドナノ構造がInGaNナノキャップ層と共に異なる一軸および同軸InGaN/GaN MQWから成ることを明らかにした。InGaN/GaN MQWアーキテクチャは光起電力素子の性能に著しい効果を持つ。ハイブリッドナノ構造で作製した太陽電池は,一軸および同軸InGaN/GaNナノワイヤMQW構造と比較して優れた光起電力性能を示した。改善された光起電力特性は,主にハイブリッドナノ構造で成長したかなり大きなInGaN活性領域に起因する。ハイブリッドナノ構造で作製した素子に対して,70%の充填率と共に1.16%の変換効率が得られた。本研究は,一軸及び同軸InGaN/GaN MQWを組み込んだIII族窒化物ナノワイヤ系太陽電池の改良の実験的実証を提供した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *多重量子井戸 ,  キャラクタリゼーション ,  画像 ,  *ナノ構造 ,  透過型電子顕微鏡 ,  構造特性 ,  *ナノワイヤ ,  *太陽電池 ,  光起電力 ,  *窒化ガリウム ,  光吸収
準シソーラス用語： 変換効率 ,  キャップ層 ,  キャリア輸送 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (10件)： 同軸 ,  単軸 ,  InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  ナノ構造 ,  作製 ,  窒化物 ,  ナノワイヤ ,  太陽電池