文献
J-GLOBAL ID:201802211520281896   整理番号:18A0091782

PEDOTハイブリッドにおける接合モデルと輸送機構:PSS/n GaAs太陽電池【Powered by NICT】

Junction model and transport mechanism in hybrid PEDOT:PSS/n-GaAs solar cells
著者 (6件):
資料名:
巻: 51  ページ: 435-441  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本研究では,PEDOTの接合形成と界面特性:平面GaAs基板上にPSS/n GaAsハイブリッド太陽電池を研究した。このハイブリッド界面での障壁高さ,光電流,暗飽和電流とビルトイン電位はn-GaAsドーピング濃度を変化させて測定した。ポリマーの仕事関数と価電子バンド端を紫外光電子分光法から抽出されたハイブリッドn GaAs/PEDOT:PSS接合のバンド図を構築した。電流-電圧特性は,急激な(p~+n)接合とSchottky接合モデルを用いて解析した。PEDOT:PSS/n-Si太陽電池からの以前の結果とは対照的に,実験的な証拠は,n-GaAsとPEDOT:PSS間の界面は可能性が高いp~+n接合の代わりにSchottky型を示すことを明らかに示唆した。電流輸送は障壁を越える多数キャリアの熱電子放出によって支配され,拡散によるものではない。暗飽和電流密度は,より重いnドープGaAs基板中の増加する表面再結合速度のために著しく増加し,太陽電池性能の大幅な低下を招く。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池 

前のページに戻る