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J-GLOBAL ID：201802211618715474   整理番号：18A0615601

強化された光触媒H_2進化のためのin situ BF共ドープg C_3N_4の後活性化【Powered by NICT】

Post-activation of in situ BF codoped g-C₃N₄ for enhanced photocatalytic H₂ evolution

著者 (6件)： Cui Yanjuan (School of Environmental and Chemical Engineering, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang, Jiangsu 212003, PR China) ,  Wang Hao (School of Environmental and Chemical Engineering, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang, Jiangsu 212003, PR China) ,  Yang Chuanfeng (School of Environmental and Chemical Engineering, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang, Jiangsu 212003, PR China) ,  Li Ming (School of Environmental and Chemical Engineering, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang, Jiangsu 212003, PR China) ,  Zhao Yimeng (School of Environmental and Chemical Engineering, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang, Jiangsu 212003, PR China) ,  Chen Fangyan (School of Environmental and Chemical Engineering, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang, Jiangsu 212003, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 441  ページ： 621-630  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水からH_2の光生成を強化した多孔質黒鉛状窒化炭素ポリマ(p CN BF)はドーパントとそれに続く空気中での焼成によりとして[Emim]BF_4を用いたその場ほう素およびフッ素共ドーピングを含む2段処理プロセスによって調製した。修飾構造を特性化し,BとFのドーピング状態を解明するために使用したいくつかの技術in-situドーピング法は,CNの分子組成へのヘテロ原子の効率的なドーピングが必要であることを示した。BおよびFのドーピング状態の差はBドーピングCNの内部骨格における一次既存ことであったが,Fドーピングは単に表面層中に存在する。内部は強化された可視光吸収のBと後焼結プロセス中に均一な多孔性構造の産生をドープした。BF同時ドーピングおよび活性化後の相乗効果,p CN BFは非常に強化された光電子発生,透過および分離を示したことにより,H_2進化(351μH~( 1))に対して高い光触媒活性,BF共ドーピング(CN BF)またはポストアニーリング(P CN)で修飾したのみの試料よりも13及び5倍高いを行う。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： グラファイト ,  フッ素 ,  光生成 ,  相乗作用 ,  ドーパント ,  可視光 ,  ホウ素 ,  *光触媒 ,  キャラクタリゼーション ,  焼結 ,  多孔性 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 光触媒活性 ,  共ドーピング ,  窒化炭素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 窒化炭素 ,  共ドーピング ,  後活性化 ,  光触媒 ,  H_2進化

分類 (3件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強化 ,  光触媒 ,  進化 ,  ドープ ,  活性化