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J-GLOBAL ID：201802211796569681   整理番号：18A2149231

高出力パルススパッタリングPenning放電によるTiSiN膜の作製

Preparation of TiSiN films by High Power Pulsed Sputtering Penning discharge

著者 (2件)： YOSHIDA R. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  KIMURA T. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 40th  ページ： 155-156  発行年： 2018年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *気体放電 ,  *反応性スパッタリング ,  薄膜成長 ,  Penningイオン化 ,  *チタン化合物 ,  *ケイ素化合物 ,  *窒化物 ,  ケイ素 ,  チタン ,  含有量 ,  内部応力 ,  電気伝導率 ,  プラズマ密度 ,  皮膜 ,  耐摩耗性 ,  耐食性 ,  アルゴン ,  窒素 ,  混合気体 ,  *Penning放電 ,  硬質皮膜 ,  機械的性質 ,  耐性
準シソーラス用語： 摩耗抵抗

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高出力 ,  パルス ,  スパッタリング ,  Penning放電 ,  作製