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J-GLOBAL ID：201802211984638660   整理番号：18A2027864

GaAs微細構造の増強テラヘルツ放射【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Terahertz Emission of GaAs Microstructures

著者 (8件)： Maeng Inhee (GIST, Advanced Photonics Research Institute, Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Lee Gyu-Seok (GIST, Advanced Photonics Research Institute, Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Kang Chul (GIST, Advanced Photonics Research Institute, Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Ju Gun-Wu (GIST, School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Park Kwangwook (Korea Advanced NanoFab Center, Suwon, Gyeonggi-do, 16229, Republic of Korea) ,  Son Seoung-Bum (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, 80401, United States) ,  Lee Yong-Tak (GIST, School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Kee Chul-Sik (GIST, Advanced Photonics Research Institute, Gwangju, 61005, Republic of Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IRMMW-THz  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 波長同調光励起下でGaAs微細構造から放出されるテラヘルツ放射の増強を観測した。GaAs微細構造薄膜を分子線エピタクシー法により作製した。GaAs微細構造からのテラヘルツ放射のピーク振幅は半絶縁性GaAsからの8倍以上である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： MBE成長 ,  同調 ,  波長 ,  薄膜 ,  *微細構造 ,  光ポンピング ,  *ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： 半絶縁性 ,  *テラヘルツ放射 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  微細構造 ,  増強 ,  テラヘルツ放射