文献

J-GLOBAL ID：201802211987734087   整理番号：18A1899350

GeSnフォトニック結晶におけるレーザ発振効果【JST・京大機械翻訳】

Lasing Effect in GeSn Photonic Crystal

著者 (10件)： Thai Q. M. (University Grenoble Alpes, CEA, INAC-Pheliqs, 38000 Grenoble, France) ,  Pauc N. (University Grenoble Alpes, CEA, INAC-Pheliqs, 38000 Grenoble, France) ,  Aubin J. (University Grenoble Alpes, CEA-Leti, Minatec, 17-rue des Martyrs, 38000 Grenoble, France) ,  Bertrand M. (University Grenoble Alpes, CEA-Leti, Minatec, 17-rue des Martyrs, 38000 Grenoble, France) ,  Chretien J. (University Grenoble Alpes, CEA, INAC-Pheliqs, 38000 Grenoble, France) ,  Khazaka R. (University Grenoble Alpes, CEA-Leti, Minatec, 17-rue des Martyrs, 38000 Grenoble, France) ,  Chelnokov A. (University Grenoble Alpes, CEA-Leti, Minatec, 17-rue des Martyrs, 38000 Grenoble, France) ,  Hartmann J. M. (University Grenoble Alpes, CEA-Leti, Minatec, 17-rue des Martyrs, 38000 Grenoble, France) ,  Reboud V. (University Grenoble Alpes, CEA-Leti, Minatec, 17-rue des Martyrs, 38000 Grenoble, France) ,  Calvo V. (University Grenoble Alpes, CEA, INAC-Pheliqs, 38000 Grenoble, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： GFP  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ステップ傾斜バッファ構造上に成長させたGeSn16%層上にフォトニック結晶膜を作製した。光ポンピング下で低温で観測された単一モードレーザ発振はフォトニック結晶の導波モードに起因した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 単一モード ,  光ポンピング ,  *レーザ発振 ,  低温 ,  導波モード ,  *フォトニック結晶

分類 (5件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  音声処理  (JE05000E) ,  パターン認識  (JE07000S) ,  符号理論  (ND02030R) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (2件)： フォトニック結晶 ,  レーザ発振