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J-GLOBAL ID：201802212020534184   整理番号：18A1770298

NVRAMベース記憶装置のファイルアクセス性能を高めるためのユニオンページキャッシュの実現【JST・京大機械翻訳】

Enabling Union Page Cache to Boost File Access Performance of NVRAM-Based Storage Device

著者 (5件)： Chen Shuo-Han (Department of Computer Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen Tseng-Yi (Academia Sinica, Institute of Information Science, Taipei, Taiwan) ,  Chang Yuan-Hao (Academia Sinica, Institute of Information Science, Taipei, Taiwan) ,  Wei Hsin-Wen (Department of Electrical and Computer Engineering, Tamkang University, New Taipei City, Taiwan) ,  Shih Wei-Kuan (Department of Computer Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： DAC  ページ： 1-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高速アクセス性能,バイトアドレス可能性,不揮発性ランダムアクセスメモリ(NVRAM)の非揮発性のため,NVRAMはモバイルコンピューティングシステムにおけるメモリ/ストレージシステムの設計のためのポピュラーな候補として出現した。例えば,最新の3D xPointメモリは,NANDフラッシュよりもはるかに長い寿命を有する一種のNVRAMであり,可能な耐久性問題を容易にすることができた。NVRAMがモバイルコンピューティングシステムにおける主要メモリとストレージの両方とみなされるとき,既存のページキャッシュメカニズムは,主メモリとストレージの間の多くの不必要なデータ運動を導入する。この問題を解決するために,著者らは,主メモリと記憶の両方においてページキャッシュのデータを共同的に管理する「ユニオンページキャッシュ」の概念を提案した。この概念を実現するために,部分ページキャッシュ戦略を設計し,その管理空間として主メモリと記憶の両方を考慮し,ファイルシステムのデータ一貫性を犠牲にすることなく,主メモリと記憶間の不要なデータ移動を除去した。実験結果は,事例研究としてPCMを使用するとき,提案した戦略がファイルアクセス性能を最大85.62%まで上げることができることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *キャッシュメモリ ,  耐久性 ,  記憶方式 ,  事例研究 ,  高速度 ,  三次元 ,  主メモリ ,  非揮発性 ,  RAM【メモリ】 ,  ファイルシステム ,  モバイルコンピューティング
準シソーラス用語： NVRAM ,  NANDフラッシュ ,  ストレージ装置 ,  *ファイルアクセス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： NVRAM ,  記憶装置 ,  ファイル ,  アクセス性能