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J-GLOBAL ID：201802212088449828   整理番号：18A1260685

サイズと形状依存性を持つGeナノワイヤ接合レスNFETの移動度計算【JST・京大機械翻訳】

Mobility calculation of Ge nanowire junctionless NFETs with size and geometry dependence

著者 (5件)： Ye Hung-Yu (Graduate Institute of Electronic Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Chung Chia-Che (Graduate Institute of Electronic Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Wong I-Hsieh (Graduate Institute of Electronic Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Lan Huang-Siang (Graduate Institute of Electronic Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Liu C. W. (Graduate Institute of Electronic Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： VLSI-TSA  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeナノワイヤnFETにおける電子移動度のチャネル断面積形状とサイズ依存性を,7nmノードを超える素子に対する理論計算により研究した。円形チャネルは,高い過駆動電圧(>0.5V)で動作する広いチャネル(幅>7nm)に対して最高の移動度を有した。一方,ダイヤモンド形状のチャネルは,低い過駆動電圧(<0.3V)と狭いチャネル(幅<7nm)で動作する広いチャネルに対して最高の移動度を有する。これは主に異なるチャネル条件での異なる表面粗さ散乱に起因する。計算フレームワークはBoltzmann輸送に基づいており,接合のないナノワイヤnFETデバイスの実験データから抽出された電子移動度により検証された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ダイヤモンド ,  *ナノワイヤ ,  チャネル ,  散乱 ,  断面積 ,  *移動度 ,  *接合
準シソーラス用語： 駆動電圧 ,  理論計算 ,  サイズ依存性 ,  電子移動度 ,  形態依存性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： サイズ ,  形状依存性 ,  Ge ,  ナノワイヤ ,  レス ,  移動度 ,  計算