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J-GLOBAL ID：201802212099169682   整理番号：18A1028425

薄膜太陽電池用の溶液処理Cu_2Ge_xSe_4-x吸収体への異なる経路【JST・京大機械翻訳】

Different pathways to solution-processed Cu₂ZnGeS_xSe_4-x absorbers for thin-film solar cells

著者 (2件)： Schnabel Thomas (Zentrum fuer Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung, Industriestras&e 6, 70565 Stuttgart, Germany) ,  Ahlswede Erik (Zentrum fuer Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung, Industriestras&e 6, 70565 Stuttgart, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Cu_2ZnGeS_xSe_4-x吸収体を有する薄膜太陽電池を,モリブデン被覆基板上に堆積し,続いてセレン含有窒素雰囲気中でアニールした金属塩溶液に基づく二段階プロセスで調製した。それらの高バンドギャップは,それらをタンデム応用のための興味深い材料にする。溶媒としてジメチルスルホキシドと水を用いた二つの異なる溶液により調製した吸収体の構造的,化学的,形態的及び電気的特徴を特性化し,特に薄膜太陽電池に対するそれらの適合性に関して考察した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 適応性 ,  電気的性質 ,  被覆 ,  セレン ,  直列接続 ,  バンドギャップ ,  モリブデン ,  キャラクタリゼーション ,  *吸収体 ,  脂肪族化合物 ,  スルホキシド
準シソーラス用語： 二段プロセス ,  金属塩 ,  窒素雰囲気 ,  *溶液処理 ,  *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

物質索引 (1件)： ジメチルスルホキシド

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜太陽電池 ,  溶液処理 ,  吸収体 ,  経路