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J-GLOBAL ID：201802212105366080   整理番号：18A1317272

オクタデカンチオール不動態化GaAs(100)表面特性研究【JST・京大機械翻訳】

Passivation of GaAs(100) Surface by 1-Octadecanethiol

著者 (10件)： Zhou Lu (吉林建筑大学電气与計算机学院吉林省建筑電气綜合節能重点実験室,吉林長春,130118) ,  Chu Xuefeng (吉林建筑大学電气与計算机学院吉林省建筑電气綜合節能重点実験室,吉林長春,130118) ,  Yan Xingzhen (吉林建筑大学電气与計算机学院吉林省建筑電气綜合節能重点実験室,吉林長春,130118) ,  Yang Fan (吉林建筑大学電气与計算机学院吉林省建筑電气綜合節能重点実験室,吉林長春,130118) ,  Wang Huan (吉林建筑大学電气与計算机学院吉林省建筑電气綜合節能重点実験室,吉林長春,130118) ,  Guo Liang (吉林建筑大学電气与計算机学院吉林省建筑電气綜合節能重点実験室,吉林長春,130118) ,  Wang Chao (吉林建筑大学電气与計算机学院吉林省建筑電气綜合節能重点実験室,吉林長春,130118) ,  Gao Xiaohong (吉林建筑大学電气与計算机学院吉林省建筑電气綜合節能重点実験室,吉林長春,130118) ,  Chi Yaodan (吉林建筑大学電气与計算机学院吉林省建筑電气綜合節能重点実験室,吉林長春,130118) ,  Yang Xiaotian (吉林建筑大学電气与計算机学院吉林省建筑電气綜合節能重点実験室,吉林長春,130118)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 39  号： 2  ページ： 175-179  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： GaAs半導体の表面状態密度を効果的に低減するために,n-オクタデカンチオール(ODT,CH3[CH2]17SH)を用いたGaAs表面不動態化の方法を提案した。最初に,通常のチオアセトアミド(TAM,CH3CSNH2)の不動態化およびオクタデカンチオールの不動態化を,それぞれ,GaAs(100)ウエハに対して行った。不動態化前後のウエハ表面の化学組成を,X線光電子分光法(XPS)によって分析した。光ルミネセンススペクトル(PL)を用いて,n-オクタデカンチオールで処理したGaAs(100)ウエハの不動態化時間を最適化した。実験結果を示した。n-オクタデカンチオールで不動態化したGaAs(100)表面は,通常のチオアセトアミドの不動態化より,より低い酸化物含有量およびより厚い硫化層の厚さを持った。室温の不動態化条件下で,不動態化時間が長いほど,n-オクタデカンチオールの不動態化効果はより良くなるが,PL強度は24時間の不動態化後に安定し,最高PL強度は116%増加した。データは,n-オクタデカンチオールがGaAs(100)表面の不動態化のための非常に有効な技術であることを示した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 硫化 ,  X線光電子スペクトル ,  最適化 ,  状態密度 ,  X線光電子分光法 ,  酸化物 ,  半導体 ,  化学組成 ,  *不動態化 ,  *ヒ化ガリウム ,  脂肪酸 ,  有機硫黄化合物
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル ,  表面不動態化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： passivation ,  GaAs ,  1-Octadecanethiol

分類 (5件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： チオアセトアミド

タイトルに関連する用語 (4件)： 不動態化 ,  GaAs ,  表面特性 ,  研究