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J-GLOBAL ID：201802212147866890   整理番号：18A0780625

フッ素ガスを用いたSnO₂粒子の分散安定性と電気伝導率に及ぼす表面フッ素化の影響

Effects of Surface Fluorination on the Dispersion Stability and the Electrical Conductivity of SnO₂ Particles Using Fluorine Gas

著者 (3件)： Kim Jae-Ho (Department of Materials Science and Engineering, Faculty of Engineering, University of Fukui) ,  Yonezawa Susumu (Department of Materials Science and Engineering, Faculty of Engineering, University of Fukui) ,  Okada Takashi (Department of Materials Science and Engineering, Faculty of Engineering, University of Fukui)
資料名： Chemistry Letters  (Chemistry Letters)
巻： 47  号： 4  ページ： 393-395(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： S0742A  ISSN： 0366-7022  CODEN： CMLTAG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnO₂粉末中のF含有量をフッ素ガス(F₂ガス)を用いて調整した。フッ素化SnO₂粒子のXPSとXRDの結果から,粒子表面は,結晶構造の変化なしでフッ素化できることが証明された。未処理SnO₂と比較して,フッ素化SnO₂は,分散安定性を改善した。さらに,SnO₂粒子の表面フッ素化は,200°Cで1時間,66.7kPaのフッ素圧力下で,電気伝導率(約75Sm^-1)を改善することができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化スズ ,  粉体 ,  *フッ素化 ,  安定性 ,  *分散【dispersion】 ,  *電気伝導率 ,  表面反応 ,  結晶構造 ,  表面構造 ,  フッ素ガスフッ化 ,  二酸化スズ ,  分散安定性 ,  構造

著者キーワード (3件)： 表面フッ素化 ,  SnO_2粒子 ,  電気伝導率

分類 (2件)： その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (11件)：

• 1) V. Brinzari, G. Koroteenkov, V. Golovanov, J. Schwank, V. Lantto, S. Saukko, Thin Solid Films 2002, 408, 51.
• 2) U. R. Chaudhuri, K. Ramkumar, M. Satyam, J. Appl. Phys. 1989, 66, 1748.
• 3) R. Cinnsealach, G. Boschloo, S. N. Rao, D. Fitzmaurice, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1999, 57, 107.
• 4) Y. Xiao, S. Ge, L. Xi, Y. Zho, X. Zhou, B. Zhang, L. Zhang, C. Li, X. Han, Z. Wen, Appl. Surf. Sci. 2008, 254, 7459.
• 5) S. Yu, W. Zhang, L. Li, D. Xu, H. Dong, Y. Jin, Appl. Surf. Sci. 2013, 286, 417.

タイトルに関連する用語 (5件)： フッ素ガス ,  SnO2 ,  分散安定性 ,  電気伝導率 ,  フッ素化