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J-GLOBAL ID:201802212214107000   整理番号:18A1883874

強結合モデルによるIII族窒化物半導体量子井戸中の励起子状態と電場効果の理論

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資料名:
巻: 73  号:ページ: ROMBUNNO.11aPS-35  発行年: 2018年09月21日 
JST資料番号: S0671C  ISSN: 2189-079X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (2件):
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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  ,  励起子 

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