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J-GLOBAL ID：201802212214107000   整理番号：18A1883874

強結合モデルによるIII族窒化物半導体量子井戸中の励起子状態と電場効果の理論

著者 (2件)： 伊藤きらら (宇都宮大 大学院) ,  石田邦夫 (宇都宮大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 73  号： 2  ページ： ROMBUNNO.11aPS-35  発行年： 2018年09月21日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 強結合模型 ,  *化合物半導体 ,  *量子井戸 ,  *励起子 ,  *電場効果 ,  テラヘルツ波 ,  電場 ,  窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化物半導体 ,  III-V半導体 ,  高電場 ,  窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： III-V化合物半導体 ,  強電場 ,  窒化ガリウムインジウム

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 強結合 ,  モデル ,  III族 ,  窒化物半導体 ,  量子井戸 ,  励起子 ,  電場効果 ,  理論