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J-GLOBAL ID:201802212454013121   整理番号:18A0091752

ポリビニルピロリドンに基づく高度に再現性のある不揮発性メムリスティブ素子:グラフェン量子ドットナノ複合材料【Powered by NICT】

Highly-reproducible nonvolatile memristive devices based on polyvinylpyrrolidone: Graphene quantum-dot nanocomposites
著者 (5件):
資料名:
巻: 51  ページ: 156-161  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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有機/無機ハイブリッドナノ複合材料を用いて作製した不揮発性メムリスティブ素子(NMD)の特性を,機械的柔軟性,低コスト,低消費電力,製作における簡単な技術プロセスと高再現性のようなその優れた特性のために調べた。Al/polyvinylpyrrolidone(PVP):グラフェン量子ドット(GQD)/インジウム-すず-酸化物(ITO)メムリスティブ素子の電流-電圧(I V)曲線は,300Kでの電流双安定性特性を示した。高導電率(ON)状態に対応する窓マージンとデバイスの低導電率(OFF)状態を発生してGODsの濃度増加と共に増加した。最適化されたデバイスのオン/オフ比は1×10~4,本研究で作製したデバイスの中で最大メモリマージンであった。オン/オフスイッチングの耐久数は,1×10~2サイクル以上であり,保持時間は比較的一定であり,10~4s以上の値を維持した。素子は 0.5と1.5Vの間で分布する書き込み電圧と高い再現性を示し,消去電圧は2と3Vの間の分布ON状態電流は0.02~0.03Aの間に留まり,オフ状態電流は10~ 6と10~ 4間であった。キャリア輸送機構を,I-V曲線をフィッティングすることによって得られた結果と素子のエネルギーバンド図を用いて説明した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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有機化合物の電気伝導  ,  高分子固体の物理的性質 
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