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J-GLOBAL ID：201802212474069534   整理番号：18A1358047

放電プラズマ焼結を用いた熱電気性能と低比接触抵抗を強化したp型およびn型ハーフホイスラー合金の容易な作製【JST・京大機械翻訳】

Facile fabrication of p- and n-type half-Heusler alloys with enhanced thermoelectric performance and low specific contact resistance employing spark plasma sintering

著者 (14件)： Chauhan Nagendra S. (Academy of Scientific & Innovative Research (AcSIR), CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL) Campus, New Delhi 110012, India) ,  Chauhan Nagendra S. (Advanced Materials and Devices Division, CSIR-National Physical Laboratory, New Delhi 110012, India) ,  Bathula Sivaiah (Academy of Scientific & Innovative Research (AcSIR), CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL) Campus, New Delhi 110012, India) ,  Bathula Sivaiah (Advanced Materials and Devices Division, CSIR-National Physical Laboratory, New Delhi 110012, India) ,  Vishwakarma Avinash (Academy of Scientific & Innovative Research (AcSIR), CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL) Campus, New Delhi 110012, India) ,  Vishwakarma Avinash (Advanced Materials and Devices Division, CSIR-National Physical Laboratory, New Delhi 110012, India) ,  Bhardwaj Ruchi (Academy of Scientific & Innovative Research (AcSIR), CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL) Campus, New Delhi 110012, India) ,  Bhardwaj Ruchi (Advanced Materials and Devices Division, CSIR-National Physical Laboratory, New Delhi 110012, India) ,  Kumar Johari Kishor (Academy of Scientific & Innovative Research (AcSIR), CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL) Campus, New Delhi 110012, India) ,  Kumar Johari Kishor (Advanced Materials and Devices Division, CSIR-National Physical Laboratory, New Delhi 110012, India) ,  Gahtori Bhasker (Academy of Scientific & Innovative Research (AcSIR), CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL) Campus, New Delhi 110012, India) ,  Gahtori Bhasker (Advanced Materials and Devices Division, CSIR-National Physical Laboratory, New Delhi 110012, India) ,  Dhar Ajay (Academy of Scientific & Innovative Research (AcSIR), CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL) Campus, New Delhi 110012, India) ,  Dhar Ajay (Advanced Materials and Devices Division, CSIR-National Physical Laboratory, New Delhi 110012, India)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 228  ページ： 250-253  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半ホイスラー(HH)材料は,中間温度領域における熱電(TE)ベースの発電応用のために活発に探求されてきた。本研究において,n型Zr_0.5Hf_0.5Ni_1±xSnとp型Zr_0.5Hf_0.5Co_1±xSb_0.8Sn_0.2(x=0.04)組成の両方に対して873Kで最先端のZT~1を実現するための非化学量論的HH合金の欠陥工学を実証した。この増強されたZTは,累積温度依存性モデルを用いて推定された,合成されたnおよびp型HH合金の両方において,高出力密度~9Wcm-2で約9%の高い変換効率をもたらす。放電プラズマ焼結プロセスを用いた,Ti電気接点を持つHHデバイス熱素子の時間効率的な作製ルートも,最適化された欠陥エンジニアリングHH組成において実証された。n型およびp型HH/Ti熱素子の両方において<10mΩcm2の低い比接触抵抗率を実現した。これは,高効率TEベース発電を達成するための励起機会と可能性を示唆する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *合金 ,  最適化 ,  *焼結 ,  励起 ,  チタン ,  発電 ,  温度依存性 ,  非化学量論 ,  *放電プラズマ焼結
準シソーラス用語： 高効率 ,  出力密度 ,  変換効率 ,  *比接触抵抗 ,  中間温度 ,  *半ホイスラー合金 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (2件)： 焼結 ,  接触

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 放電プラズマ焼結 ,  電気性能 ,  比接触抵抗 ,  強化 ,  ハーフホイスラー合金 ,  作製