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J-GLOBAL ID：201802212494165697   整理番号：18A0489881

600°CでのArイオン照射における深度変化を有する焼結SiCセラミックの損傷の進展【Powered by NICT】

Damage development of sintered SiC ceramics with the depth variation in Ar ion-irradiation at 600 °C

著者 (8件)： Su Bizhe (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, China) ,  Su Bizhe (School of Energy and Environment, City University of Hong Kong, Hong Kong, China) ,  Liang Hanqin (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, China) ,  Liu Guiling (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, China) ,  Huang Zhengren (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, China) ,  Liu Xuejian (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, China) ,  Chen Zhongming (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, China) ,  Yu Denis Y.W. (School of Energy and Environment, City University of Hong Kong, Hong Kong, China)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 38  号： 5  ページ： 2289-2296  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 材料の照射損傷は照射線量と材料の固有の性質に依存する。本論文では,非常に少ない第二相と優れた結晶性を有する高純度ホットプレス焼結SiCセラミックをターゲット材料として調製した,高照射線量はそれぞれ0.95および3.16dpaまでを選択した。焼結したSiCセラミックスは600°Cで160keVのArイオンビームを照射した。X線光電子分光法,Ramanスペクトル,透過型電子顕微鏡及びナノインデンテーション試験を照射したSiCの表面上の微細構造変化を解析するために用いた,照射された結晶は結晶性を維持することが分かった,SiCの非晶質化が10 25nm深さで形成され,点欠陥クラスタと拡張欠陥の混合物にした。さらに,は高温における欠陥の照射誘導損傷ビルドアップと動的アニーリングの間のバランスであることは明らかである。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  *焼結 ,  結晶度 ,  *イオン照射 ,  第二相 ,  Ramanスペクトル ,  ナノインデンテーション ,  照射損傷 ,  照射線量 ,  *炭化ケイ素 ,  X線光電子分光法 ,  ホットプレス ,  *セラミック ,  透過型電子顕微鏡 ,  アモルファス化

著者キーワード (3件)： SiCセラミック ,  イオン照射 ,  損傷の進展

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (7件)： Arイオン ,  深度 ,  焼結 ,  SiC ,  セラミック ,  損傷 ,  進展