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J-GLOBAL ID：201802212563905345   整理番号：18A0080436

他集合を用いた不揮発性キャッシュの寿命を改善するための間集合書込み変異の標的化【Powered by NICT】

Targeting inter set write variation to improve the lifetime of non-volatile cache using fellow sets

著者 (2件)： Agarwal Sukarn (Department of Computer Science and Engineering, IIT Guwahati, Assam, India-781039) ,  Kapoor Hemangee K. (Department of Computer Science and Engineering, IIT Guwahati, Assam, India-781039)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VLSI-SoC  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度・低静的電力不揮発性技術(NVM)によって示されるは,メモリ階層,キャッシュを含む一般的な候補にした。キャッシュセット内の書き込みアクセスパターン並びに置換政策によって支配され,大きな書込変動をもたらした。大きな書き込み,有効寿命を減少させることによるNVM細胞の初期破壊に導くのでこの変化は関心事である。間セット書込み変動を減少させることにより不揮発性キャッシュの寿命を改善する技術を示した。制御実験にもとづく我々の方針は,キャッシュセット他群と呼ばれるグループに分割する。すべてのセットは,二論理部品:正常および予約を持っている。他グループ内の集合は,他セットから予備部品を使う書き込みを均一に分布することができる。完全システムシミュレーションを用いた実験結果は,提案した技術は,ベースラインと既存技法よりも間セット書込み変動の有意な減少を示すことが分かった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 変異 ,  記憶階層 ,  基準線 ,  システムシミュレーション ,  *ターゲティング ,  *キャッシュメモリ ,  電力 ,  *非揮発性 ,  耐用年数
準シソーラス用語： アクセスパターン ,  高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 計算機システム開発  (JD02010R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 集合 ,  不揮発性 ,  キャッシュ ,  寿命 ,  書込み ,  変異 ,  標的化