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J-GLOBAL ID：201802212705579296   整理番号：18A2005473

歪変調Pr_0.5Sr_0.5MnO_3膜における電流誘起電気抵抗【JST・京大機械翻訳】

The current-induced electroresistance in strain-modulated Pr_0.5Sr_0.5MnO₃ film

著者 (3件)： Chen L. P. (Department of Physics, Zhejiang Normal University, Jinhua 321004, Zhejiang, P. R. China) ,  Miao L. D. (Department of Physics, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Gao J. (Department of Physics, The University of Hong Kong, Hong Kong, P. R. China)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 10  ページ： 105308-105308-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着法により,0.67Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O_3-0.33PbTiO_3の強誘電体基板上に,PR_0.5Sr_0.5MnO_3膜を成長させた。基板に印加した電場による膜構造と格子変化をX線回折により調べた。抵抗率の電場依存性を室温での格子の電場依存性と比較し,抵抗と歪の関係を明らかにした。電流誘起電気抵抗(CER)を異なる測定電流を用いて研究した。電場の増加とともに,低温でのCERの巨大な減少が達成され,大きな歪効果を示した。マルチフェロイック界面における磁気電気結合に及ぼす圧電歪効果を議論した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 圧電気 ,  強誘電体 ,  低温 ,  電場 ,  パルスレーザ蒸着 ,  磁気電気効果 ,  X線回折 ,  界面 ,  電気抵抗率 ,  *電流 ,  基板 ,  *電流発生
準シソーラス用語： 磁性強誘電体 ,  歪効果 ,  電場依存性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 歪 ,  変調 ,  電流誘起 ,  電気抵抗