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J-GLOBAL ID：201802212848037066   整理番号：18A1564881

SOI-MEMSデバイスを用いた磁気特性のコンビナトリアル評価

著者 (5件)： 前谷卓哉 (名古屋大 大学院) ,  本川侑季 (名古屋大 大学院) ,  溝尻瑞枝 (名古屋大 大学院) ,  櫻井淳平 (名古屋大 大学院) ,  秦誠一 (名古屋大 大学院)
資料名： 日本機械学会年次大会講演論文集(CD-ROM)  (日本機械学会年次大会(CD-ROM))
巻： 2017  ページ： ROMBUNNO.J2220103  発行年： 2017年09月02日 
JST資料番号： X0587C  ISSN： 2424-2667  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： コンビナトリアル手法は,新規材料探索や合金組成の最適化に有効な材料探索手法である。しかし,本手法では,評価したい物性値それぞれに測定用のサンプルが必要とされる。本研究では,これまで異なるサンプルを用いて評価が行われていた磁歪と比透磁率(磁化曲線)を同一のサンプルを用いて評価するMEMSデバイスの製作,及びMEMSデバイスを用いた磁化曲線の測定を行った。磁歪材料の磁化曲線の測定の結果,磁性材料の磁化曲線と似た形状が得られ,本手法を用いた磁歪材料の磁化測定の可能性が示された。(著者抄録)

シソーラス用語： プリント基板 ,  *MEMS ,  *コンビナトリアルケミストリー ,  磁性材料 ,  *磁化特性測定 ,  *磁気歪材料 ,  材料設計 ,  共振周波数 ,  片持梁 ,  磁場
準シソーラス用語： SOI基板 ,  比透磁率 ,  磁化曲線 ,  レーザDoppler振動計

分類 (3件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  磁性体測定技術・装置  (BM06030I)

タイトルに関連する用語 (4件)： SOI ,  MEMSデバイス ,  磁気特性 ,  評価