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J-GLOBAL ID：201802212955672784   整理番号：18A1919144

2価の希土類イオン化合物の新展開-錯体から無機固体まで

著者 (3件)： 神永健一 (東北大 材料科学高等研) ,  福村知昭 (東北大 材料科学高等研) ,  福村知昭 (東北大 大学院理学研究科)
資料名： 化学  (Chemistry)
巻： 73  号： 11  ページ： 70-71  発行年： 2018年11月01日 
JST資料番号： F0095A  ISSN： 0451-1964  CODEN： KAKYAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・これまで,異常原子価である2価イオン化合物を合成するのが難しかった希土類元素。
・2価希土類イオン化合物についての,2008年までの研究状況と,比較的小さな負の還元電位を持つNd,Sm,Eu,Dy,Tm,Ybのみで得られていた2価化合物。
・2008年に立体障害を利用して合成された2価の希土類イオンを持つ有機金属錯体の合成法,ESR測定からわかった5d¹電子の局在化および密度汎関数法計算による電子状態。
・2013年,2015年,2017年に合成された2価希土類元素錯体とこれらの電子配置。
・2価の希土類イオンを持つ希土類単酸化物(RO)の合成と,EuOの強磁性半導体としての性質。
・パルスレーザーを用いた非平衡反応によるパルスレーザー堆積法による,準安定相YO薄膜の合成と光吸収スペクトル,d電子の強い電子相関,ナローバンドギャップ半導体としての振る舞い。
・SmOとLaOの単結晶薄膜の合成と,重い電子系物質,超伝導体としての振る舞い。

シソーラス用語： *原子価 ,  *希土類元素錯体 ,  化学合成 ,  還元 ,  酸化還元電位 ,  立体障害 ,  ESR【磁気共鳴】 ,  *電子状態 ,  改変 ,  密度汎関数法 ,  *酸化物 ,  強磁性半導体 ,  電子配置 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  準安定相 ,  光吸収スペクトル ,  電子相関 ,  半導体 ,  酸化サマリウム ,  酸化ユウロピウム ,  酸化イットリウム ,  酸化ランタン ,  単結晶 ,  *薄膜 ,  重いFermi系 ,  電子系 ,  超伝導体 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  還元電位 ,  重い電子系 ,  微小ギャップ半導体 ,  単結晶膜
準シソーラス用語： ナローバンドギャップ半導体 ,  局在化 ,  単結晶薄膜

分類 (2件)： 第3族元素の錯体  (CE01060J) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

物質索引 (1件)： 1,4-ビス(トリメチルシリル)-1,3-シクロペンタジエン

タイトルに関連する用語 (4件)： 希土類イオン ,  展開 ,  錯体 ,  固体