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J-GLOBAL ID：201802213040256660   整理番号：18A2001037

円筒極座標によるK.pハミルトニアンを用いた量子リングの正孔エネルギー準位と有効g因子【JST・京大機械翻訳】

Hole energy levels and effective g-factor of quantum rings utilizing k.p Hamiltonian in terms of cylindrical polar coordinates

著者 (2件)： Zamani A. (Department of Physics, College of Sciences, Yasouj University, Yasouj, 75914-353, Iran) ,  Rezaei G. (Department of Physics, College of Sciences, Yasouj University, Yasouj, 75914-353, Iran)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 124  ページ： 145-152  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無限閉込めポテンシャル量子リングの正孔エネルギーと有効g因子に対する外部場効果を理論的に調べた。円筒状極座標内のエンベロープ関数アプローチに基づいて,4つのバンドk法を用いた。次に,有効正孔ハミルトニアンを導出し,リング形状のために,方程式の2次元格子(ρ,z)集合として問題を解き,最後に,有限差分法(FDM)を用いてシステムの価電子バンド(VB)エネルギー固有値とg因子を推定した。さまざまな幾何学的寸法と同様に適用場の異なる値に対する数値結果を示した。結果は実験研究で報告された結果と良く一致することを見出した。著者らの結果は,これら二次元システムの正確な記述のための外部場とリングサイズの役割を強調した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *正孔 ,  *円筒 ,  *エネルギー ,  *ハミルトニアン ,  エンベロープ ,  電場 ,  *エネルギー準位 ,  *極座標 ,  固有値 ,  価電子バンド ,  外場 ,  差分法 ,  *g因子
準シソーラス用語： 閉込めポテンシャル ,  *量子リング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： K.P法 ,  量子リング ,  有効g因子 ,  Zeeman効果 ,  電場

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 極座標 ,  ハミルトニアン ,  量子リング ,  正孔 ,  エネルギー準位 ,  g因子