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J-GLOBAL ID：201802213276039146   整理番号：18A1300150

ビスマスによるSiC上のエピタキシャルグラフェンの増強されたNドーピング【JST・京大機械翻訳】

Enhanced n-doping of epitaxial graphene on SiC by bismuth

著者 (8件)： Hu Tingwei (State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, Shaanxi, China) ,  Fang Qinglong (State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, Shaanxi, China) ,  Zhang Xiaohe (State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, Shaanxi, China) ,  Liu Xiangtai (State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, Shaanxi, China) ,  Ma Dayan (State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, Shaanxi, China) ,  Wei Ran (School of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450001, China) ,  Xu Kewei (State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, Shaanxi, China) ,  Ma Fei (State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, Shaanxi, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 1  ページ： 011602-011602-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャルグラフェン(EG)へのドーピングは,高温プロセスとグラフェンの極薄性質のために困難である。本研究では,Bi原子フラックスがドーピング源として作用するSiCの熱分解中にビスマス(Bi)を用いてEG中にドーピングを発生させる容易な一段階法を実証した。Raman分光法および走査型トンネル顕微鏡/分光法を用いて,BiドープEGの品質,形態および電子特性を特性化した。インターカレーションと組み込まれたBi原子の両方がドーパントと考えられる。Dirac点はBiからEGへの電子移動の結果としてFermi準位から離れてシフトし,従ってEGのnドーピング挙動を著しく増強することが分かった。第一原理計算を行い,BiによるEGの強化nドーピングに取り組んだ。このin situドーピング法は他の金属に拡張することができ,EGの性能と将来のエレクトロニクスへの重要性を調整する大きな潜在的応用を示している。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *グラフェン ,  Fermi準位 ,  計算 ,  高温 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  キャラクタリゼーション ,  *ビスマス ,  *炭化ケイ素 ,  *ドーピング ,  熱分解 ,  電子移動 ,  ドーパント ,  インターカレーション ,  電子技術
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  Dirac点 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： ビスマス ,  SiC ,  エピタキシャルグラフェン ,  増強 ,  ドーピング