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J-GLOBAL ID：201802213281573095   整理番号：18A1008166

空気中の5keV X線によるSiO_2上のグラフェンの遠隔ドーピング【JST・京大機械翻訳】

Remote doping of graphene on SiO₂ with 5 keV x-rays in air

著者 (4件)： Salzmann Bjorn (Physik-Institut, University of Zuerich, CH-8057 Zuerich, Switzerland) ,  Bernard Carlo (Physik-Institut, University of Zuerich, CH-8057 Zuerich, Switzerland) ,  Hemmi Adrian (Physik-Institut, University of Zuerich, CH-8057 Zuerich, Switzerland) ,  Greber Thomas (Physik-Institut, University of Zuerich, CH-8057 Zuerich, Switzerland)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 36  号： 2  ページ： 020603-020603-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの輸送特性は,グラフェンのバンド構造のために電場の存在下で強く変化する。これはグラフェンを絶縁体基板中の電荷に敏感にする。SiO_2/Si上のグラフェンを,周囲条件におけるX線照射下で研究した。それらの試料の金属酸化物半導体構造を用いて,照射による酸化物中の正電荷の生成による遠隔ドーピングを観測し,それらをグラフェンゲート上で行った抵抗とHall効果測定に関連付けた。伝導率,Hall電荷キャリア密度,および対応する電荷キャリア移動度の観測された変化は,超高真空条件下でのグラフェン電界効果トランジスタを用いた最近の実験(P.Prochazka et al. Rep.7,563(2017))と同様に期待値と一致した。さらに,周囲条件下での効果の安定性と熱アニーリングを用いたその回復を実証した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 期待値 ,  X線照射 ,  *ドーピング ,  絶縁体 ,  キャリア移動度 ,  電荷 ,  キャリア密度 ,  超高真空 ,  バンド構造 ,  FET【トランジスタ】 ,  酸化物 ,  *グラフェン ,  電場
準シソーラス用語： 正電荷 ,  輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 空気中 ,  X線 ,  グラフェン ,  ドーピング