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J-GLOBAL ID：201802213352120706   整理番号：18A0647245

グラフェン被覆の電子構造と光学的性質に及ぼすF被覆率の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effect of F coverage on electronic structure and optical properties of graphene system

著者 (3件)： Liu Guili (沈陽工業大学 建筑与土木工程学院,沈陽,110870) ,  Zhou Shuang (沈陽工業大学 建筑与土木工程学院,沈陽,110870) ,  Fan Dazhi (沈陽工業大学 建筑与土木工程学院,沈陽,110870)
資料名： Shenyang Gongye Daxue Xuebao  (Shenyang Gongye Daxue Xuebao)
巻： 39  号： 6  ページ： 622-628  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3623A  ISSN： 1000-1646  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 異なるF被覆度におけるグラフェン吸着システムの電子構造と光学特性を研究するために、第一原理を用いて固有グラフェンとグラフェン吸着システムに対して幾何最適化を行い、各システムの吸着エネルギー、バンド構造、電子状態密度、光吸収係数と反射率を計算し、分析した。結果により、F原子がグラフェンのトップに安定に吸着され、F被覆度が6.2%の時、系の吸着エネルギーが最も大きく、F原子の吸着はグラフェンのエネルギーギャップを開き、半金属型から半導体型に変化させることが分かった。F被覆率が3.1%のとき,系のエネルギーギャップは最大値に達した。固有のグラフェンと比較して,グラフェン吸着システムのFermi準位での電子状態密度は増加し,F被覆率が9.4%のとき,最大状態密度を得ることができた。グラフェン吸収系の光吸収係数と反射率ピーク値は固有グラフェンより明らかに小さく、しかもF被覆度が大きいほど、ピーク値の減少程度が顕著になる。一定の波長範囲において,吸収係数と反射率は青方偏移を示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ピーク値 ,  反射率 ,  状態密度 ,  バンド構造 ,  *グラフェン ,  *電子構造 ,  吸着エネルギー ,  エネルギーギャップ ,  青方偏移 ,  *光学的性質 ,  *被覆率 ,  *被覆 ,  第一原理 ,  吸収係数
準シソーラス用語： 電子状態密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： graphene ,  electronic structure ,  optical property ,  adsorption ,  coverage ,  first principle ,  F atom ,  density functional theory

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  電子構造 ,  光学的性質 ,  被覆率 ,  研究