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J-GLOBAL ID：201802213388613689   整理番号：18A0838793

低ドレイン電流における55MV/DECの平均閾値勾配を持つシリコントンネルFET【JST・京大機械翻訳】

Silicon tunnel FET with average subthreshold slope of 55 mV/dec at low drain currents

著者 (6件)： Narimani K. (Peter-Gruenberg-Institute (PGI9-IT), JARA-Fundamentals for Future Technology, Forschungszentrum Juelich, 52428 Juelich, Germany) ,  Glass S. (Peter-Gruenberg-Institute (PGI9-IT), JARA-Fundamentals for Future Technology, Forschungszentrum Juelich, 52428 Juelich, Germany) ,  Bernardy P. (Peter-Gruenberg-Institute (PGI9-IT), JARA-Fundamentals for Future Technology, Forschungszentrum Juelich, 52428 Juelich, Germany) ,  von den Driesch N. (Peter-Gruenberg-Institute (PGI9-IT), JARA-Fundamentals for Future Technology, Forschungszentrum Juelich, 52428 Juelich, Germany) ,  Zhao Q.T. (Peter-Gruenberg-Institute (PGI9-IT), JARA-Fundamentals for Future Technology, Forschungszentrum Juelich, 52428 Juelich, Germany) ,  Mantl S. (Peter-Gruenberg-Institute (PGI9-IT), JARA-Fundamentals for Future Technology, Forschungszentrum Juelich, 52428 Juelich, Germany)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 143  ページ： 62-68  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,より良いサブ閾値性能を達成するために,線トンネリングに基づくシリコントンネルFETを提示した。作製した素子は,I_off=1nA/μmに対してV_ds=V_on=V_gs-V_off=-0.5Vで,I_dの2桁にわたり平均SSが55mV/decで,I_on=2.55×10~-7A/μmのオン電流を示した。さらに,性能のアナログ性能を計算し,相互コンダクタンス効率g_m/I_dが低電流でのMOSFET性能を上げることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電流 ,  相互コンダクタンス ,  *ケイ素 ,  MOSFET ,  アナログ系 ,  トンネル効果
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  *ドレイン電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： トンネルFET ,  ライン・トンネリング ,  トラップ支援トンネリング(TAT)

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドレイン電流 ,  DEC ,  平均 ,  閾値 ,  勾配 ,  シリコン ,  トンネルFET