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J-GLOBAL ID：201802213396209548   整理番号：18A1879622

立方晶単結晶に対する新しい圧電抵抗テンソル方程式の記述とその多軸応力への応用

Description of New Piezoresistance Tensor Equation for Cubic Single Crystal and Its Application to Multiaxial Stress

著者 (2件)： ANDO Taeko (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  TORIYAMA Toshiyuki (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Sensors and Materials  (Sensors and Materials)
巻： 30  号： 9 (2)  ページ： 2101-2124  発行年： 2018年 
JST資料番号： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,立方単結晶に対する新しいピエゾ抵抗テンソル方程式を導いた。この方程式は,圧電抵抗テンソルの3つの独立主成分,等方性および偏差応力テンソル,並びに4次座標変換テンソルによって表すことができる。ピエゾ抵抗テンソル方程式は,応力テンソルの静水圧部分と抵抗変化テンソルのトレースの間の関係,および偏差部分のみの間の関係に分解できる。ピエゾ抵抗テンソル方程式の静水圧部分は座標変換に関して不変であった。他方では,テンソル方程式の偏差部分は追跡できなかった。提案したピエゾ抵抗テンソル分解は,PfannとThurstonの古典的理論[J.Appl.Phys.32(2008)1961]に新しい物理的洞察を与えた。PfannとThurstonの理論は,著者らのテンソル分解の特別な場合として書き換えることができることを示した。さらに,提案したテンソル方程式と実験的証拠の間の整合性を実証するために,多軸応力を受ける単結晶シリコン圧電抵抗性ロゼット応力ゲージに関するいくつかの基礎実験を行った。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 立方晶系 ,  *単結晶 ,  *電気抵抗 ,  *応力テンソル ,  *応力 ,  静水圧
準シソーラス用語： *圧電抵抗 ,  *多軸応力 ,  偏差応力

分類 (2件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  圧電デバイス  (NC03110I)

引用文献 (17件)：

• T. Toriyama and S. Sugiyama: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 2797.
• T. Toriyama and S. Sugiyama: J. Microelectromech. Syst. 11 (2002) 598.
• A. A. Barlian, W. T. Park, J. R. Mallon, Jr., A. J. Rastegar, and B. L. Pruitt: Proc. IEEE 97 (2009) 513.
• H. P. Phan, D. V. Dao, P. Tanner, L. Wang, N. T. Nguyen, Y. Zhu, and S. Dimitrijev: Appl. Phys. Lett. 104 (2014)111905.
• H. P. Phan, D. V. Dao, K. Nakamura, S. Dimitrijev, and N. T. Nguyen: J. Microelectromech. Syst. 24 (2015) 6.

タイトルに関連する用語 (8件)： 立方晶 ,  単結晶 ,  圧電抵抗 ,  テンソル ,  方程式 ,  記述 ,  多軸応力 ,  応用