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J-GLOBAL ID：201802213420425963   整理番号：18A0058586

IR検出器応用のための化学合成PbS薄膜に関する研究

Studies on chemically synthesized PbS thin films for IR detector application

著者 (5件)： ROHOM Ashwini B. (Savitribai Phule Pune Univ., Pune, IND) ,  LONDHE Priyanka U. (Savitribai Phule Pune Univ., Pune, IND) ,  JADHAV Priya R. (Savitribai Phule Pune Univ., Pune, IND) ,  BHAND Ganesh R. (Savitribai Phule Pune Univ., Pune, IND) ,  CHAURE Nandu B. (Savitribai Phule Pune Univ., Pune, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 22  ページ： 17107-17113  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PbSの直接バンドギャップはバルクで0.41eVと狭く,励起子Bohr半径は18nmと大きい。化学浴堆積でPbS薄膜をガラス基板にデポジットした。吸収スペクトルから光学バンドギャップは薄膜制作後で1.23,熱処理後で1.10eVが得られた。デポジット後の粒子形状はバラバラだが,アニーリングで球状クラスターのカリフラワー状に凝集し成長する。いずれもも基板への接着は良く,ピンホールは無くて密である。粒界と表面に存在する硫黄元素の蒸発で,アニーリングによるPbリッチ層がEDAX解析で確認された。試料はIR照明および暗条件でSchottky挙動を示し,IR照明での光電流増加はPbSが良いIR検出器になることを示している。アニールした試料ので計算による理想因子の減少は,結晶性の向上と粒界でのリーク電流が少ないことを示している。

シソーラス用語： *赤外検出器 ,  化学合成 ,  *硫化鉛 ,  薄膜 ,  バンドギャップ ,  化合物半導体 ,  原子半径 ,  励起子 ,  析出 ,  基板 ,  電気装置部品 ,  吸収スペクトル ,  光学ギャップ ,  焼なまし ,  効果 ,  因子 ,  スペクトル ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： Bohr半径 ,  IV-VI半導体 ,  Schottky効果 ,  アニーリング処理 ,  ガラス基板 ,  *化学浴堆積 ,  光学バンドギャップ ,  直接バンドギャップ ,  透過スペクトル ,  理想因子

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ir ,  検出器 ,  応用 ,  化学合成 ,  PbS ,  薄膜 ,  研究