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J-GLOBAL ID：201802213476752497   整理番号：18A1303449

Kaバンド応用のためのInAlGaN/GaN HEMT技術【JST・京大機械翻訳】

InAlGaN/GaN HEMT technology for Ka band applications

著者 (16件)： Delage Sylvain L. (III-V Lab, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Piotrowicz S. (III-V Lab, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Patard O. (III-V Lab, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Jacquet J-C. (III-V Lab, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Gamarra P. (III-V Lab, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Dua C. (III-V Lab, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Altuntas P. (III-V Lab, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Michel N. (III-V Lab, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Charier E. (III-V Lab, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Potier C. (III-V Lab, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Oualli M. (III-V Lab, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Lacam C. (III-V Lab, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Chang C. (UMS SAS, Ba^timent Charmille, Parc SILIC de Villebon-Courtaboeuf, 10 avenue du Que ́bec, 91140 Villebon-sur-Yvette France) ,  Blanck H. (UMS SAS, Ba^timent Charmille, Parc SILIC de Villebon-Courtaboeuf, 10 avenue du Que ́bec, 91140 Villebon-sur-Yvette France) ,  Fellon P. (UMS SAS, Ba^timent Charmille, Parc SILIC de Villebon-Courtaboeuf, 10 avenue du Que ́bec, 91140 Villebon-sur-Yvette France) ,  Floriot D. (UMS SAS, Ba^timent Charmille, Parc SILIC de Villebon-Courtaboeuf, 10 avenue du Que ́bec, 91140 Villebon-sur-Yvette France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： MIKON  ページ： 234-237  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAlGaN/GaN HEMT技術を用いて最近の結果を得た。このヘテロ構造の材料利点を示し,いくつかの技術的側面を記述した。低遅れ効果と高電場能力を示した。30GHzにおいて10Wm-1までの電力密度が得られた。MMIC電力増幅器について簡単に報告した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *HEMT
準シソーラス用語： MMIC電力増幅器 ,  電力密度 ,  高電場 ,  ヘテロ構造 ,  *Kaバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： Kaバンド ,  応用 ,  GaN ,  HEMT