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J-GLOBAL ID：201802213494445348   整理番号：18A1504235

異方性電子特性を持つミリメートルスケール単結晶1-3水素化グラフェンの作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of Millimeter-Scale, Single-Crystal One-Third-Hydrogenated Graphene with Anisotropic Electronic Properties

著者 (15件)： Chen Hui (Institute of Physics and School of Physical Sciences and CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Bao De-Liang (Institute of Physics and School of Physical Sciences and CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Bao De-Liang (Department of Physics and Astronomy and Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, 37235, USA) ,  Wang Dongfei (Institute of Physics and School of Physical Sciences and CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Que Yande (Institute of Physics and School of Physical Sciences and CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Xiao Wende (Institute of Physics and School of Physical Sciences and CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Qian Guojian (Institute of Physics and School of Physical Sciences and CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Guo Hui (Institute of Physics and School of Physical Sciences and CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Sun Jiatao (Institute of Physics and School of Physical Sciences and CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Zhang Yu-Yang (Institute of Physics and School of Physical Sciences and CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Zhang Yu-Yang (Department of Physics and Astronomy and Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, 37235, USA) ,  Du Shixuan (Institute of Physics and School of Physical Sciences and CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Pantelides Sokrates T. (Institute of Physics and School of Physical Sciences and CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Pantelides Sokrates T. (Department of Physics and Astronomy and Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, 37235, USA) ,  Gao Hong-Jun (Institute of Physics and School of Physical Sciences and CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 30  号： 32  ページ： e1801838  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 周期的水素化グラフェンは,独特の電子特性を示す,グラフェン,グラフェン,および2D C_xH_yなどの新しい種類の結晶性2D材料を形成すると予測される。周期的水素化グラフェンの制御合成は基礎研究と可能な電子応用に必要である。このような材料の小さなパッチのみがこれまで成長してきたが,大規模で周期的に水素化したグラフェンの実験的製造は挑戦的なままである。本研究では,大規模で周期的に水素化したグラフェンをRu(0001)上に作製した。作製したままの水素化グラフェンは,元のグラフェンと比較して√3×√3/R30°周期で高度に秩序化していた。水素と炭素の比率が1:3のとき,周期的水素化グラフェンは「一次水素化グラフェン」(OTHG)と命名される。OTHGの面積は16mm~2であり,密度汎関数理論計算により,OTHGは一つの高対称方向に沿った二つの変形Dirac円錐とFermiエネルギーの他の方向に沿った有限エネルギーギャップを有し,強い異方性電気的性質を示し,特別に望ましい性質をもつ大規模結晶機能化グラフェンを生成することを示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *異方性 ,  Fermi準位 ,  対称性 ,  二次元 ,  *水素化 ,  結晶度 ,  電気的性質 ,  炭素 ,  *単結晶 ,  エネルギーギャップ ,  *水素 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： Diracコーン ,  密度汎関数計算 ,  *グラファン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 異方性 ,  水素化グラフェン ,  ミリメートル規模 ,  単結晶

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 異方性 ,  電子 ,  スケール ,  単結晶 ,  水素化グラフェン ,  作製