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J-GLOBAL ID：201802213830597618   整理番号：18A0406533

Si基板上の高効率垂直構造GaNベース発光ダイオード【Powered by NICT】

High-efficiency vertical-structure GaN-based light-emitting diodes on Si substrates

著者 (9件)： Wang Wenliang (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510641, China) ,  Lin Yunhao ,  Li Yuan ,  Li Xiaochan ,  Huang Liegen ,  Zheng Yulin ,  Lin Zhiting ,  Wang Haiyan ,  Li Guoqiang
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 6  号： 7  ページ： 1642-1650  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlN/Al_0.24Ga_0 0.76Nバッファ層と三次元(3D)GaN層を持つエピタキシャル構造を設計することにより,有機金属化学蒸着によりSi基板上に成長させた高品質のGaNベース発光ダイオード(LED)ウエハ。AlN/Al_0.24Ga_0 0.76Nバッファ層を直接冷却過程中に導入された引張応力のバランスをとるために大きな圧縮応力を提供するためにSi基板上に成長させた,3D GaN層はAl_0 24Ga_0 0.76Nバッファ層上に成長させたGaNエピタキシャル膜の転位密度を減少させることである。成長させたままのGaN系LEDウエハは,それぞれ300と345arcsecのGaN(0002)及びGaN(10 12)と内部量子効率~80.1%の半値全幅になった非常に高い結晶品質を示した。その後,LEDウエハを標準プロセスによるサイズ1×1mm~2の垂直構造LEDチップに作製した。調製されたままの垂直構造LEDチップは動作電圧と569mWの光出力パワーと350mAの電流で,それぞれ,2.82Vと57.6%の電力変換効率を示した。これらの高効率垂直LEDチップを固相照明分野で広い範囲の用途を見出すことが期待される。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  転位密度 ,  引張応力 ,  バッファ層 ,  エピタクシー ,  FWHM ,  MOCVD ,  *発光ダイオード ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  LEDチップ ,  結晶品質 ,  高品質 ,  *高効率 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  高効率 ,  垂直 ,  GaN ,  発光ダイオード