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J-GLOBAL ID：201802213968479512   整理番号：18A0448977

ErAs量子ドットを用いたGaAs:Erから作られた1550nm駆動光伝導スイッチのTHz性能【Powered by NICT】

THz performance of 1550-nm-driven photoconductive switches made from GaAs:Er with ErAs quantum dots

著者 (3件)： Mingardi A. (THz Sensors Laboratory, Wright State University, Dayton OH 45435) ,  Zhang W.-D. (THz Sensors Laboratory, Wright State University, Dayton OH 45435) ,  Brown E. R. (THz Sensors Laboratory, Wright State University, Dayton OH 45435)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NAECON  ページ： 332-334  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs:Erにおける超高速1550nm外因性光伝導は,伝統的な780nm固有光伝導に基づくGaAs:Erデバイスに匹敵する性能を有するTHz光伝導デバイスを作製することが可能である。本論文では,THzデバイス性能に及ぼすErドーピング濃度とそれに関連したErAs量子ドット形成の効果を,光伝導スイッチに焦点を当てた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光伝導 ,  ドーピング ,  *エルビウム ,  *ヒ化ガリウム ,  *量子ドット
準シソーラス用語： 超高速 ,  *光伝導アンテナ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ERAS ,  量子ドット ,  GaAs ,  Er ,  光伝導スイッチ