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J-GLOBAL ID：201802213988737017   整理番号：18A0621478

SiCの陽極処理中の局所酸化現象の開始と発展の研究【Powered by NICT】

Study of initiation and development of local oxidation phenomena during anodizing of SiC

著者 (3件)： Liu Nian (Department of Mechanical and Energy Engineering, Southern University of Science and Technology, No. 1088, Xueyuan Road, Shenzhen, Guangdong 518055, China) ,  Yi Rong (Department of Mechanical and Energy Engineering, Southern University of Science and Technology, No. 1088, Xueyuan Road, Shenzhen, Guangdong 518055, China) ,  Deng Hui (Department of Mechanical and Energy Engineering, Southern University of Science and Technology, No. 1088, Xueyuan Road, Shenzhen, Guangdong 518055, China)
資料名： Electrochemistry Communications  (Electrochemistry Communications)
巻： 89  ページ： 27-31  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1133A  ISSN： 1388-2481  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 陽極酸化は単結晶SiCの高効率酸化アプローチであることが証明されているにもかかわらず,酸化機構は依然として不明である。本研究では,SiCの陽極処理中の局所酸化現象の開始と進展を実験的に研究した。局所酸化は被災地とドーピングサイトのような電荷キャリア高密度領域に発生した。被災地の酸化はSiCの陽極処理中のドーピングサイトのそれと比較してより高い優先権を持つ。被災地の陽極酸化では,局所酸化により生成した突起が損傷を受けた地域周辺で収集した。とは対照的に,突起はドーピングサイトの陽極酸化のためのランダムに分布した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーピング ,  *陽極酸化処理 ,  アノード酸化 ,  *酸化 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： 高密度 ,  電荷キャリア ,  酸化機構 ,  高効率 ,  *局所酸化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 単結晶SiC ,  陽極酸化 ,  表面下の損傷 ,  ドーピング ,  突出

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  陽極処理 ,  局所酸化 ,  現象 ,  発展 ,  研究